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半导体研究所 [6]
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学科主题
半导体材料 [6]
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学科主题:半导体材料
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Room-temperature spin photocurrent spectra at interband excitation and comparison with reflectance-difference spectroscopy in InGaAs/AlGaAs quantum wells
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: article no.53519
Yu JL
;
Chen YH
;
Jiang CY
;
Liu Y
;
Ma H
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浏览/下载:36/4
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提交时间:2011/07/05
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INVERSION ASYMMETRY
HETEROSTRUCTURES
SEGREGATION
INTERFACE
Observation of photogalvanic current for interband absorption in InN films at room temperature
会议论文
2nd ieee international nanoelectronics conference, shanghai, peoples r china, mar 24-27, 2008
Tang, CG
;
Chen, YH
;
Liu, Y
;
Zhang, RQ
;
Liu, XL
;
Wang, ZG
;
Zhang, R
;
Zhang, Z
收藏
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2010/03/09
QUANTUM-WELLS
SPIN
Quantum-confined Stark effect and built-in dipole moment in self-assembled InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
applied physics letters, 2004, 卷号: 85, 期号: 14, 页码: 2791-2793
作者:
Xu B
;
Ye XL
;
Jin P
;
Li CM
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浏览/下载:256/95
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提交时间:2010/03/09
ELECTRON-HOLE ALIGNMENT
The effects of rapid thermal annealing on the optical properties of Zn1-xMnxSe epilayer grown by MOCVD on GaAs substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 249, 期号: 3-4, 页码: 538-543
作者:
Zhang JY
;
Jiang DS
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浏览/下载:81/0
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提交时间:2010/08/12
photoluminescence
metalorganic chemical vapor deposition
epilayer
semiconducting II-VI materials
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAP
The effects of concomitant In and N incorporation on the photoluminescence of GaInNAs
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 2, 页码: 261-266
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/08/12
photoluminescence
molecular beam epitaxy
quantum wells
III-V semiconductors
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
SINGLE-QUANTUM-WELL
LUMINESCENCE
GAAS
LOCALIZATION
BEHAVIOR
LAYER
Optical transitions and type-II band lineup of MBE-grown GaNAs/GaAs single-quantum-well structures
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 501-505
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:147/24
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提交时间:2010/08/12
molecular beam epitaxy
quantum wells
semiconducting IIIV materials
LUMINESCENCE
GAASN
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