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半导体研究所 [14]
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期刊论文 [13]
会议论文 [1]
发表日期
2007 [1]
2006 [2]
2000 [4]
1999 [2]
1998 [1]
1997 [3]
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学科主题
半导体材料 [14]
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学科主题:半导体材料
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Preferential orientation growth of AIN thin films on Si (111) substrates by LP-MOCVD
期刊论文
modern physics letters b, 2007, 卷号: 21, 期号: 22, 页码: 1437-1445
Zhao, YM
;
Sun, GS
;
Liu, XF
;
Li, JY
;
Zhao, WS
;
Wang, L
;
Luo, MC
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/03/08
aluminum nitride
low pressure metalorganic chemical vapor deposition (LP-MOCVD)
V/III ratio
preferential orientation growth mechanism
Monte Carlo simulation of the modulated effect induced by the dislocation to the quantum dot growth
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 31-35
Zhao C (Zhao C.)
;
Chen YH (Chen Y. H.)
;
Zhao M (Zhao Man)
;
Zhang CL (Zhang C. L.)
;
Xu B (Xu B.)
;
Yu LK (Yu L. K.)
;
Sun J (Sun J.)
;
Lei W (Lei W.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
收藏
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/04/11
Monte Carlo simulation
molecular beam epitaxy
kinetic effects
quantum dot
LAYER
Monte Carlo simulation of the modulated effect induced by the dislocation to the quantum dot growth
会议论文
11th conference on defects recognition imaging and physics in semiconductors, beijing, peoples r china, sep 13-19, 2005
作者:
Xu B
收藏
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浏览/下载:134/15
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提交时间:2010/03/29
Monte Carlo simulation
Two-dimensional ordering of self-assembled InAs quantum dots grown on (311)B InP substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 219, 期号: 1-2, 页码: 17-21
作者:
Ye XL
;
Xu B
收藏
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/08/12
quantum dots
molecular beam epitaxy
high index
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
STRAINED ISLANDS
GAAS
ORGANIZATION
INP(001)
LASERS
INGAAS
LAYER
Doping during low-temperature growth of materials for n-p-n Si/SiGe/Si heterojuction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 322-326
Liu JP
;
Huang DD
;
Li JP
;
Lin YX
;
Sun DZ
;
Kong MY
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浏览/下载:70/14
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提交时间:2010/08/12
n-type doping
p-type doping
Si/SiGe
HBT
GSMBE
SI
Evolution from point defects to arsenic clusters in low-temperature grown GaAs/AlGaAs multiple quantum wells
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 217, 期号: 4, 页码: 355-359
Zhang MH
;
Han YJ
;
Zhang YH
;
Huang Q
;
Bao CL
;
Wang WX
;
Zhou JM
;
Lu LW
收藏
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浏览/下载:68/0
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提交时间:2010/08/12
LT-GaAs
LT MQWs
defect
photoluminescence
electroabsorption
SPATIAL LIGHT MODULATORS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAAS
RECOMBINATION
DYNAMICS
A surface kinetics model for the growth of Si1-xGex by UHV/CVD using SiH4/CeH4
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 245-249
Yu Z
;
Li DZ
;
Cheng BW
;
Huang CJ
;
Lei ZL
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Liang JW
收藏
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/08/12
SiGe/Si
epitaxial growth
surface reaction kinetics
UHV/CVD system
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
ATOMIC-HYDROGEN
ADSORPTION
SI(100)
SI2H6
SIH4
MECHANISMS
DESORPTION
PHASE
FILMS
Evolution of height distribution of Ge islands on Si(1 0 0)
期刊论文
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 617-620
Liu JP
;
Gong Q
;
Huang DD
;
Li JP
;
Sun DZ
;
Kong MY
收藏
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2010/08/12
Ge islands
Ge films
bimodal distribution
Ehrlich-Schwoebel barriers
SI(001)
HETEROEPITAXIAL GROWTH
Kinetic study of MOCVD III-V quaternary antimonides
期刊论文
rare metals, 1999, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 16-20
Peng RW
;
Wei GY
;
Wu W
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/08/12
kinetic study
MOCVD
III-V
quaternary antimonide
photodetector
EPITAXIAL-GROWTH
Low-temperature growth properties of Si1-xGex by disilane and solid-Ge molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 535-540
Liu JP
;
Kong MY
;
Li JP
;
Liu XF
;
Huang DD
;
Sun DZ
收藏
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浏览/下载:33/0
  |  
提交时间:2010/08/12
Si1-xGex alloys
low temperature epitaxy
desorption
adsorption
surface morphology
growth kinetics
HYDROGEN DESORPTION
SI(100)
SI
SURFACTANT
GERMANIUM
MECHANISM
KINETICS
ALLOYS
SI2H6
GAS-SOURCE MBE
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