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半导体研究所 [63]
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期刊论文 [54]
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2013 [2]
2011 [2]
2010 [2]
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学科主题
半导体材料 [63]
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学科主题:半导体材料
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Anisotropic scattering effect of the inclined misfit dislocation on the two-dimensional electron gas in AlGaN/GaN heterostructures
期刊论文
journal of applied physics, 2014, 卷号: 115, 期号: 4, 页码: 043702
Jin, DD
;
Wang, LS
;
Yang, SY
;
Zhang, LW
;
Li, HJ
;
Zhang, H
;
Wang, JX
;
Xiang, RF
;
Wei, HY
;
Jiao, CM
;
Liu, XL
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2015/03/20
Dislocation Scattering in ZnMgO/ZnO Heterostructures
期刊论文
ieee transactions on electron devices, 2013, 卷号: 60, 期号: 6, 页码: 2077-2079
Sang, Ling
;
Yang, Shao Yan
;
Liu, Gui Peng
;
Zhao, Gui Juan
;
Liu, Chang Bo
;
Gu, Cheng Yan
;
Wei, Hong Yuan
;
Liu, Xiang Lin
;
Zhu, Qin Sheng
;
Wang, Zhan Guo
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2013/08/27
Dislocation Scattering in ZnMgO-ZnO Heterostructures
期刊论文
ieee transactions on electron devices, 2013, 卷号: 60, 期号: 6, 页码: 2077 - 2079
Ling Sang, Shao Yan Yang, Gui Peng Liu, Gui Juan Zhao, Chang Bo Liu, Cheng Yan Gu, Hong Yuan Wei,
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2014/03/18
Raman study on dislocation in high Al content AlxGa1-xN
期刊论文
european physical journal-applied physics, 2012, 卷号: 58, 期号: 1, 页码: 10102
Pan, X
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Feng, C
;
Jiang, LJ
;
Yin, H
;
Chen, H
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2013/01/29
Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates
期刊论文
journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032
作者:
Pan X
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2011/09/14
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PHASE EPITAXY
ALN INTERLAYERS
FILMS
STRESS
LAYERS
DISLOCATIONS
REDUCTION
DENSITY
DIODES
Cathodoluminescence of Yellow and Blue Luminescence in Undoped Semi-insulating GaN and n-GaN
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: article no.37102
Hou QF
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Yang CB
;
Yin HB
;
Li JM
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:42/4
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提交时间:2011/07/05
EPITAXIAL LAYERS
PHOTOLUMINESCENCE
ABSORPTION
CARBON
BAND
Preparation and Optical Performance of Freestanding GaN Thick Films
期刊论文
rare metal materials and engineering, 2010, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 2169-2172
作者:
Wei TB
;
Yang JK
;
Duan RF
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浏览/下载:58/10
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提交时间:2011/07/05
GaN
HVPE
freestanding thick films
stress release
photoluminescence
VAPOR-PHASE EPITAXY
GROWTH
PRESSURE
HVPE
Evaluating the effect of dislocation on the photovoltaic performance of metamorphic tandem solar cells
期刊论文
science china-technological sciences, 2010, 卷号: 53, 期号: 9, 页码: 2569-2574
Zhang H (Zhang Han)
;
Chen NF (Chen NuoFu)
;
Wang Y (Wang Yu)
;
Zhang XW (Zhang XingWang)
;
Yin ZG (Yin ZhiGang)
;
Shi HW (Shi HuiWei)
;
Wang YS (Wang YanSuo)
;
Huang TM (Huang TianMao)
;
Bai YM (Bai YiMing)
;
Fu Z (Fu Zhen)
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浏览/下载:251/25
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提交时间:2010/09/07
tandem solar cell
theoretical efficiency
dislocation
buffer layers
Dislocation core effect scattering in a quasitriangle potential well
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 11, 页码: art. no. 112102
作者:
Wei HY
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浏览/下载:236/104
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提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
carrier density
carrier mobility
dislocation density
dislocation scattering
gallium compounds
III-V semiconductors
semiconductor heterojunctions
wide band gap semiconductors
Characterization of Thick GaN Films Directly Grown on Wet-Etching Patterned Sapphire by HVPE
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: art. no. 096801
作者:
Yang JK
;
Wei TB
;
Duan RF
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浏览/下载:73/3
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提交时间:2010/03/08
VAPOR-PHASE EPITAXY
DISLOCATIONS
SUBSTRATE
LAYER
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