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科研机构
半导体研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2011 [2]
2006 [1]
2004 [1]
1999 [2]
学科主题
半导体材料 [6]
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学科主题:半导体材料
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The effect of different oriented sapphire substrates on the growth of polar and non-polar ZnMgO by MOCVD
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 39-42
作者:
Song HP
;
Shi K
;
Sang L
;
Wei HY
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浏览/下载:58/3
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提交时间:2011/07/05
Metal organic chemical vapor deposition
Sapphire
Zinc compounds
Semiconducting II-VI materials
VAPOR-PHASE EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
ZNO NANORODS
RAMAN-SCATTERING
M-PLANE
FILMS
PHOTOLUMINESCENCE
DEPOSITION
NANOWIRES
FIELDS
Electrical transport properties of the Si-doped cubic boron nitride thin films prepared by in situ cosputtering
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 2, 页码: article no.23716
作者:
Yin ZG
;
Zhang XW
;
Tan HR
;
Fan YM
;
Zhang SG
收藏
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浏览/下载:42/3
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提交时间:2011/07/05
HIGH-PRESSURE SYNTHESIS
VAPOR-DEPOSITION
NUCLEATION
EMISSION
DIAMOND
GROWTH
Hydrogenated p-type nanocrystalline silicon in amorphous silicon solar cells
期刊论文
journal of non-crystalline solids, 2006, 卷号: 352, 期号: 9-20, 页码: 1900-1903
Hu ZH (Hu Zhihua)
;
Liao XB (Liao Xianbo)
;
Diao HW (Diao Hongwei)
;
Cai Y (Cai Yi)
;
Zhang SB (Zhang Shibin)
;
Fortunato E (Fortunato Elvira)
;
Martins R (Martins Rodrigo)
收藏
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浏览/下载:59/0
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提交时间:2010/04/11
silicon
solar cells
photovoltaics
Raman scattering
MICROCRYSTALLINE SILICON
SI NANOCRYSTALS
VOLUME FRACTION
RAMAN
CRYSTALLINITY
FILMS
Effect of spontaneous and piezoelectric polarization on intersubband transition in AlxGa1-xN-GaN quantum well
期刊论文
journal of vacuum science & technology b, 2004, 卷号: 22, 期号: 6, 页码: 2568-2573
Li, JM
;
Lu, YW
;
Li, DB
;
Han, XX
;
Zhu, QS
;
Liu, XL
;
Wang, ZG
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/03/17
RAY PHOTOEMISSION SPECTROSCOPY
Two-dimensional ordering of self-assembled InxGa1-xAs quantum dots grown on GaAs(311)B surfaces
期刊论文
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 205, 期号: 4, 页码: 481-488
作者:
Xu B
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浏览/下载:60/0
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提交时间:2010/08/12
two-dimensional (2D) ordering
quantum dot array
InxGa1-xAs
self-assembly
molecular beam epitaxy
GaAs(311)B
high-index
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ORGANIZED GROWTH
INAS ISLANDS
GAAS
GAAS(100)
ALIGNMENT
MATRIX
ARRAYS
DISKS
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
Two-dimensional ordering of self-assembled InxGal-xAs quantum dots grown on GaAs(311)B surfaces
期刊论文
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 206, 期号: 4, 页码: 279-286
作者:
Xu B
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/08/12
two-dimensional (2D) ordering
quantum dot array
InxGa1-xAs
self-assembly
molecular beam epitaxy
GaAs(311)B
high index
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ORGANIZED GROWTH
INAS ISLANDS
GAAS
GAAS(100)
ALIGNMENT
MATRIX
DISKS
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
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