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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Hydrogenated p-type nanocrystalline silicon in amorphous silicon solar cells 期刊论文 journal of non-crystalline solids, 2006, 卷号: 352, 期号: 9-20, 页码: 1900-1903 Hu ZH (Hu Zhihua); Liao XB (Liao Xianbo); Diao HW (Diao Hongwei); Cai Y (Cai Yi); Zhang SB (Zhang Shibin); Fortunato E (Fortunato Elvira); Martins R (Martins Rodrigo) 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/04/11 silicon  solar cells  photovoltaics  Raman scattering  MICROCRYSTALLINE SILICON  SI NANOCRYSTALS  VOLUME FRACTION  RAMAN  CRYSTALLINITY  FILMS   Fabrication of novel double-hetero-epitaxial SOT structure Si/gamma-Al2O3/Si 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 3-4, 页码: 255-260 Tan LW; Wang QY; Wang J; Yu YH; Liu ZL; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 heteroepitaxial growth  gamma-Al2O3  silicon  silicon on insulator  FILMS  SI  DEPOSITION  AL2O3   Effect on the optical properties and surface morphology of cubic GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition using isoelectronic indium surfactant doping 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 235, 期号: 1-4, 页码: 207-211 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：92/4  |  提交时间：2010/08/12 crystal morphology  doping  surface structure  metalorgamc chemical vapor deposition  nitrides  semiconducting III-V materials  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PHASE EPITAXY  FILMS  CATHODOLUMINESCENCE   Pulsed excimer laser annealing of Mg-doped cubic GaN 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 209, 期号: 1, 页码: 203-207 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/08/12 annealing  cubic GaN  Mg doping  photoluminescence  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  III-V NITRIDE  P-TYPE GAN  OPTICAL-PROPERTIES  COMPENSATION  DIODES  FILMS   The growth and characterization of GaN grown on an Al2O3 coated (001)Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 484-490 Wang LS; Liu XL; Zan YD; Wang D; Lu DC; Wang ZG; Wang YT; Cheng LS; Zhang Z 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  MOVPE growth  Al2O3 coated Si substrate  crystal structure  photoluminescence spectrum  SINGLE CRYSTALLINE GAN  HIGH-QUALITY GAN  INTERMEDIATE LAYER  BUFFER LAYERS  SI  FILMS  ALN  DEPOSITION  SAPPHIRE  MOLECULAR-BEAM EPITAXY