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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [4]
会议论文 [1]
发表日期
2013 [1]
2011 [2]
2008 [1]
2005 [1]
学科主题
半导体材料 [5]
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学科主题:半导体材料
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Scattering due to Schottky barrier height spatial fluctuation on two dimensional electron gas in AlGaN-GaN high electron mobility transistors
期刊论文
applied physics letters, 2013, 卷号: 103, 期号: 23, 页码: 232109
Li, Huijie
;
Liu, Guipeng
;
Wei, Hongyuan
;
Jiao, Chunmei
;
Wang, Jianxia
;
Zhang, Heng
;
Dong Jin, Dong
;
Feng, Yuxia
;
Yang, Shaoyan
;
Wang, Lianshan
;
Zhu, Qinsheng
;
Wang, Zhan-Guo
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提交时间:2014/03/17
Extraction of AlGaN/GaN heterostructure Schottky diode barrier heights from forward current-voltage characteristics
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.74512
Lv YJ
;
Lin ZJ
;
Corrigan TD
;
Zhao JZ
;
Cao ZF
;
Meng LG
;
Luan CB
;
Wang ZG
;
Chen H
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浏览/下载:64/6
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提交时间:2011/07/05
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
GAN
DEPENDENCE
CONTACTS
STATES
NI
Influence of thermal stress on the characteristic parameters of AlGaN/GaN heterostructure Schottky contacts
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: article no.47105
Lu YJ
;
Lin ZJ
;
Zhang Y
;
Meng LG
;
Cao ZF
;
Luan CB
;
Chen H
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:57/2
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提交时间:2011/07/05
AlGaN/GaN heterostructures
thermal stressing
polarization
self-consistently solving Schrodinger's and Poisson's equations
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
POLARIZATION
STABILITY
CHARGE
GAN
Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode
会议论文
34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007
Wang, XH
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Feng, C
;
Wang, XY
;
Wang, BZ
;
Yang, CB
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Hu, GX
;
Li, JM
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提交时间:2010/03/09
GAS SENSORS
HEMT STRUCTURES
MOBILITY
TEMPERATURE
TRANSISTORS
GROWTH
MOCVD
LAYER
Homoepitaxial Growth of 4H-SiC and Ti/4H-SiC SBDs
期刊论文
人工晶体学报, 2005, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 1006-1010
作者:
NING Jin
;
LIU Xingfang
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提交时间:2010/11/23
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