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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Homogeneous Epitaxial Growth of N,N '-di(n-butyl)quinacridone Thin Films on Ag(110) 期刊论文 journal of nanoscience and nanotechnology, 2010, 卷号: 10, 期号: 11 sp. iss. si, 页码: 7162-7166 Lin F (Lin Feng); Fang ZY (Fang Zheyu); Qu SC (Qu Shengchun); Huang S (Huang Shan); Song WT (Song Wentao); Chi LF (Chi Lifeng); Zhu X (Zhu Xing) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/30 MOLECULAR-BEAM DEPOSITION  QUASIEPITAXIAL GROWTH  ORGANIC FILMS  LEED  PTCDA  STM  MONOLAYERS  GRAPHITE   Experiments and their analysis for self-assembly growth of GaN quantum dots via MOCVD 期刊论文 rare metal materials and engineering, 2005, 卷号: 34, 期号: 12, 页码: 1849-1853 Meng T; Zhu XF; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：306/9  |  提交时间：2010/04/11 GaN based quantum dots  self-assembly  S-K mode  MOCVD  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  STRANSKI-KRASTANOV GROWTH  OPTICAL-PROPERTIES  ALGAN SURFACES   Effect of InxGa1-xAs (0 <= x <= 0.4) capping layer on self-assembled 1.3 mu m wavelength InAs/GaAs quantum islands 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 3, 页码: 363-368 Wang XD; Niu ZC; Feng SL; Miao ZH 收藏  |  浏览/下载：93/3  |  提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy  low dimensional structures  optical microscopy  molecular beam epitaxy  nanomaterials  semiconducting III-V materials  laser diodes  TEMPERATURE-DEPENDENCE  M PHOTOLUMINESCENCE  INGAAS OVERGROWTH  GAAS  DOTS  EMISSION  ENERGY  LASER   Size quantization effects in InAs self-assembled islands on InP(001) at the onset of 2D-to-3D transition 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 197, 期号: 4, 页码: 789-793 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 self-assembled island  size quantization effect  molecular beam epitaxy  EXCITED-STATES  GROWTH  PHOTOLUMINESCENCE  QUANTUM DOTS   Two-dimensional ordering of self-assembled InxGa1-xAs quantum dots grown on GaAs(311)B surfaces 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 205, 期号: 4, 页码: 481-488 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/08/12 two-dimensional (2D) ordering  quantum dot array  InxGa1-xAs  self-assembly  molecular beam epitaxy  GaAs(311)B  high-index  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ORGANIZED GROWTH  INAS ISLANDS  GAAS  GAAS(100)  ALIGNMENT  MATRIX  ARRAYS  DISKS  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY   Structural and optical characteristics of self-organized InAs quantum dots grown on GaAs (3 1 1)A substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 1-2, 页码: 70-76 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/08/12 InAs quantum dots  self-assembly  molecular beam epitaxy  GaAs (3 1 1)A  photoluminesence  TEMPERATURE-DEPENDENCE  THERMAL-ACTIVATION  LOCALIZED EXCITONS  ORIENTED GAAS  PHOTOLUMINESCENCE  MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Two-dimensional ordering of self-assembled InxGal-xAs quantum dots grown on GaAs(311)B surfaces 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 206, 期号: 4, 页码: 279-286 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 two-dimensional (2D) ordering  quantum dot array  InxGa1-xAs  self-assembly  molecular beam epitaxy  GaAs(311)B  high index  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ORGANIZED GROWTH  INAS ISLANDS  GAAS  GAAS(100)  ALIGNMENT  MATRIX  DISKS  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY