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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Growth and characterization of semi-insulating GaN films grown by MOCVD 期刊论文 journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 期号: sp.iss.si, 页码: 14-18 Fang CB; Wang XL; Hu GX; Wang JX; Wang CM; Li JM 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/04/11 MOCVD  GaN  resistivity  TSC  N-TYPE GAN  DOPED GAN  SPECTROSCOPY  CARBON  FE   Influence of rapid thermal annealing on InAs/InAlAs/InP quantum wires with different InAs deposited thickness 期刊论文 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 284, 期号: 1-2, 页码: 20-27 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：67/18  |  提交时间：2010/03/17 annealing   Wafer bonding technique used for the integration of cubic GaN/GaAs (001) with Si substrate 期刊论文 science in china series e-technological sciences, 2002, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: 255-260 作者:  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：84/5  |  提交时间：2010/08/12 wafer bonding  cubic  GaN/GaAs(001)  Si-substrate  LIGHT-EMITTING-DIODES  P-TYPE GAN  RESISTANCE  CONTACT  LASER   High efficiency AlxGa1-xAs/GaAs solar cells: Fabrication, irradiation and annealing effect 期刊论文 solar energy materials and solar cells, 1996, 卷号: 44, 期号: 1, 页码: 63-67 Li B; Xiang XB; You ZP; Xu Y; Fei XY; Liao XB 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/17 GaAs  solar cell  liquid phase epitaxy  irradiation  annealing  GAAS   EXCIMER-LASER DOPING OF SPIN-ON DOPANT IN SILICON 期刊论文 applied surface science, 1993, 卷号: 64, 期号: 3, 页码: 259-263 WONG YW; YANG XQ; CHAN PW; TONG KY 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/15 REACTIVE ATMOSPHERE  BORON  IRRADIATION  SEMICONDUCTORS  JUNCTIONS