QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of ion-induced damage on GaNAs/GaAs quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 1-2, 页码: 140-144 Li LH; Pan Z; Zhang W; Lin YW; Wang XY; Wu RH; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：99/7  |  提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy  quantum wells  BAND-GAP ENERGY  PHOTOLUMINESCENCE  TEMPERATURE  GANXAS1-X  FILMS   Pulsed excimer laser annealing of Mg-doped cubic GaN 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 209, 期号: 1, 页码: 203-207 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/08/12 annealing  cubic GaN  Mg doping  photoluminescence  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  III-V NITRIDE  P-TYPE GAN  OPTICAL-PROPERTIES  COMPENSATION  DIODES  FILMS   Initial stages of GaN/GaAs (100) growth by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of electronic materials, 2000, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 177-182 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 cubic GaN  hexagonal GaN  buffer layer  AFM  RHEED  CUBIC GAN  FILMS  GAAS  DEPENDENCE  NITRIDE  LAYERS