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半导体研究所 [45]
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发表日期
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2013 [3]
2012 [1]
2011 [5]
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2006 [6]
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学科主题
半导体材料 [45]
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学科主题:半导体材料
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High performance 2150 nm-emitting InAs/InGaAs/InP quantum well lasers grown by metalorganic vapor phase epitaxy
期刊论文
optics express, 2015, 卷号: 23, 期号: 7, 页码: 8383-8388
S. Luo
;
H.M. Ji
;
F. Gao
;
F. Xu
;
X.G. Yang
;
P. Liang
;
T. Yang
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2016/03/22
1.06-μm InGaAs/GaAs multiple-quantum-well optical thyristor lasers with a PiNiN structure.
期刊论文
Optics Letters, 2013, 卷号: 38, 期号: 22, 页码: 4868-4871
Wang H, Mi J, Zhou X, Meriggi L, Steer M, Cui B, Chen W, Pan J, Ding Y.
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2014/03/18
High power 2-μm room-temperature continuous-wave operation of GaSb-based strained quantum-well lasers
期刊论文
Chinese Physics B, 2013, 卷号: 22, 期号: 9, 页码: 094208
Xu Yun, Wang Yong-Bin, Zhang Yu,Song Guo-Feng and Chen Liang-Hui
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2014/04/09
MBE growth of 2.3m InGaAsSb/AlGaAsSb strained multiple quantum well diode lasers
期刊论文
key engineering materials, 2013, 卷号: 552, 页码: 389-392
Zhang, Tiancheng
;
Ni, Qinfei
;
Liu, Xuezhen
;
Yu, Bin
;
Wang, Yuxia
;
Zhang, Yu
;
Ma, Xunpeng
;
Wang, Yongbin
;
Xu, Yun
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2014/04/28
Theoretical analyses on improved beam properties of GaSb-based 2.X-mu m quantum-well diode lasers with no degradation in laser parameters
期刊论文
chinese physics b, 2012, 卷号: 21, 期号: 8, 页码: 084208
Wang YB (Wang Yong-Bin)
;
Xu Y (Xu Yun)
;
Song GF (Song Guo-Feng)
;
Chen LH (Chen Liang-Hui)
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2013/04/02
Temperature Compensation for Threshold Current and Slope Efficiency of 1.3 mu m InAs/GaAs Quantum-Dot Lasers by Facet Coating Design
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: article no.44201
作者:
Cao YL
;
Yang T
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2011/07/05
WELL LASERS
DEPENDENCE
DIODE
GAIN
Experimental and theoretical study for InAs quantum dashes-in-a-step-well structure on (001)-oriented InP substrate
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 8, 页码: article no.84345
Kong JX
;
Zhu QS
;
Xu B
;
Wang ZG
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浏览/下载:39/3
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提交时间:2011/07/05
The effect of different oriented sapphire substrates on the growth of polar and non-polar ZnMgO by MOCVD
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 39-42
作者:
Song HP
;
Shi K
;
Sang L
;
Wei HY
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浏览/下载:58/3
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提交时间:2011/07/05
Metal organic chemical vapor deposition
Sapphire
Zinc compounds
Semiconducting II-VI materials
VAPOR-PHASE EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
ZNO NANORODS
RAMAN-SCATTERING
M-PLANE
FILMS
PHOTOLUMINESCENCE
DEPOSITION
NANOWIRES
FIELDS
Well-aligned Zn-doped tilted InN nanorods grown on r-plane sapphire by MOCVD
期刊论文
nanotechnology, 2011, 卷号: 22, 期号: 23, 页码: article no.235603
作者:
Song HP
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浏览/下载:69/3
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提交时间:2011/07/05
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SEMICONDUCTOR NANOWIRES
NITRIDE NANOTUBES
GAN
EMISSION
MECHANISM
Numerical study of strained InGaAs quantum well lasers emitting at 2.33 mu m using the eight-band model
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: 77301
Wang M
;
Gu YX
;
Ji HM
;
Yang T
;
Wang ZG
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/02/06
EPITAXY
MOVPE
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