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科研机构
半导体研究所 [21]
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期刊论文 [19]
会议论文 [2]
发表日期
2011 [1]
2009 [1]
2008 [2]
2006 [2]
2005 [1]
2003 [3]
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学科主题
半导体材料 [21]
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学科主题:半导体材料
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Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO(2)(100) by metal organic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: 245402
Fu D
;
Zhang R
;
Liu B
;
Xie ZL
;
Xiu XQ
;
Gu SL
;
Lu H
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Wang ZG
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/02/06
FUNDAMENTAL-BAND GAP
INDIUM NITRIDE
BUFFER LAYER
DEPENDENCE
SAPPHIRE
MOCVD
Growth and characterization of GaInNAs by molecular beam epitaxy using a nitrogen irradiation method
期刊论文
journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 7, 页码: 1723-1727
Zhao H
;
Wang SM
;
Zhao QX
;
Sadeghi M
;
Larsson A
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浏览/下载:180/35
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提交时间:2010/03/08
Quantum well
Dilute nitride
Rapid thermal annealing
InGaAs
GaInNAs
The influence of low-temperature Ge seed layer on growth of high-quality Ge epilayer on Si(100) by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 10, 页码: 2508-2513
Zhou ZW
;
Li C
;
Lai HK
;
Chen SY
;
Yu JZ
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浏览/下载:54/12
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提交时间:2010/03/08
characterization
Peculiarity of constant photocurrent method for silicon films with mixed amorphous-nanocrystalline structure
期刊论文
journal of non-crystalline solids, 2008, 卷号: 354, 期号: 19-25, 页码: 2282-2285
Kazanskii, AG
;
Kong, GL
;
Zeng, XB
;
Hao, HY
;
Liu, FZ
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浏览/下载:104/29
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提交时间:2010/03/08
silicon
conductivity
chemical vapor deposition
microcrystallinity
absorption
photoconductivity
Growth and characterization of semi-insulating GaN films grown by MOCVD
期刊论文
journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 期号: sp.iss.si, 页码: 14-18
Fang CB
;
Wang XL
;
Hu GX
;
Wang JX
;
Wang CM
;
Li JM
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/04/11
MOCVD
GaN
resistivity
TSC
N-TYPE GAN
DOPED GAN
SPECTROSCOPY
CARBON
FE
Study of intensity-dependent nonlinear optical coefficients of GaP optical crystal at 800 nm by femtosecond pump-probe experiment
期刊论文
chinese optics letters, 2006, 卷号: 4, 期号: 9, 页码: 536-538
Haiyu Sang
;
Ming Li
;
Xiangyang Yu
;
Jangying Zhou
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/23
Optical properties of self-assembled InAs/InAlAs/InP quantum wires with different InAs deposited thickness
期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 286, 期号: 1, 页码: 23-27
作者:
Jin P
;
Xu B
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浏览/下载:58/0
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提交时间:2010/04/11
defects
lateral composition modulation
photoluminescence
molecular beam epitaxy
quantum wires
semiconductor III-V material
DOTS
HETEROSTRUCTURES
INALAS/INP(001)
SPECTROSCOPY
WAVELENGTH
INP(001)
Growth and photoluminescence of InAlGaN films
会议论文
5th international conference on nitride semiconductors (icns-5), nara, japan, may 25-30, 2003
作者:
Li DB
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浏览/下载:13/2
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提交时间:2010/10/29
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
QUATERNARY ALLOYS
OPTICAL-PROPERTIES
Microstructure of GaN films grown on Si(111) substrates by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 416-423
Hu GQ
;
Kong X
;
Wan L
;
Wang YQ
;
Duan XF
;
Lu Y
;
Liu XL
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2010/08/12
amorphous layer
dislocation
transmission electron microscopy
metalorganic chemical vapor deposition
GaN
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
HIGH-QUALITY GAN
HETEROEPITAXIAL GROWTH
ELECTRON-DIFFRACTION
DEFECT STRUCTURE
HETEROSTRUCTURE
DISLOCATIONS
MICROSCOPY
(111)SI
LAYER
Nonlinear optical properties and thermal stability of the poled polymer NTAB/PEK-c
期刊论文
materials letters, 2003, 卷号: 57, 期号: 16-17, 页码: 2612-2615
Pan QW
;
Fang CS
;
Qin ZH
;
Gu QT
;
Cheng XF
;
Xu D
;
Yu JZ
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2010/08/12
nonlinear optics
thermal stability
polymer thin films
CHROMOPHORE
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