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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Properties of exchange interaction in Yb3Fe5O12 under extreme conditions 期刊论文 journal of magnetism and magnetic materials, 2009, 卷号: 321, 期号: 19, 页码: 3307-3310 Wang W; Li DY 收藏  |  浏览/下载：103/2  |  提交时间：2010/03/08 Exchange interaction  Anisotropy  Temperature dependence  Iron garnet   Effect of a step quantum well structure and an electric-field on the Rashba spin splitting 期刊论文 半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 6, 页码: 11-14 作者:  Hao Guodong;  Chen Yonghai 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/23 Structural and optical properties of InAlGaN films grown directly on low-temperature buffer layer with (0001)sapphire substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 249, 期号: 1-2, 页码: 72-77 作者:  Li DB 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  stretched exponential  time-resolved photolummescence  metalorganic vapor phase epitaxy  nitrides  InAlGaN  INXALYGA1-X-YN QUATERNARY ALLOYS  TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE  MULTIPLE-QUANTUM WELLS  ALINGAN/GAN HETEROSTRUCTURES  GAN  DECAY  LUMINESCENCE  SAPPHIRE  DEVICES  SILICON   Properties of GaAs single crystals grown by molecular beam epitaxy at low temperatures 期刊论文 science in china series a-mathematics physics astronomy, 1997, 卷号: 40, 期号: 2, 页码: 214-218 Chen NF; He HJ; Wang YT; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/17 low temperature  molecular beam epitaxy  GaAs single crystal  lattice parameter  arsenic interstitial couples  arsenic precipitates  effects of backgating or sidegating  LAYERS  DEPENDENCE   Excess arsenic in GaAs grown at low temperatures by molecular beam epitaxy 期刊论文 japanese journal of applied physics part 2-letters, 1996, 卷号: 35, 期号: 10a, 页码: l1238-l1240 Chen NF; Wang YT; He HJ; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/17 gallium arsenide  low temperature  As interstitials  As interstitial couples  molecular beam epitaxy  X-ray rocking curve  lattice parameter  GALLIUM-ARSENIDE  LAYERS  DEPENDENCE   THE DEPENDENCE OF THE INVERSION LAYER THICKNESS ON THE FILM THICKNESS IN THIN-FILM SOI STRUCTURES 期刊论文 chinese physics, 1991, 卷号: 11, 期号: 3, 页码: 716-719 XIA YW; WANG SW 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15 MOSFETS  REDUCTION