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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The effect of different oriented sapphire substrates on the growth of polar and non-polar ZnMgO by MOCVD 期刊论文 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 39-42 作者:  Song HP;  Shi K;  Sang L;  Wei HY 收藏  |  浏览/下载：58/3  |  提交时间：2011/07/05 Metal organic chemical vapor deposition  Sapphire  Zinc compounds  Semiconducting II-VI materials  VAPOR-PHASE EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  ZNO NANORODS  RAMAN-SCATTERING  M-PLANE  FILMS  PHOTOLUMINESCENCE  DEPOSITION  NANOWIRES  FIELDS   Effect of indium-doped interlayer on the strain relief in GaN films grown on Si(111) 期刊论文 physica status solidi a-applications and materials science, 2008, 卷号: 205, 期号: 2, 页码: 294-299 Wu, JJ; Zhao, LB; Zhang, GY; Liu, XL; Zhu, QS; Wang, ZG; Jia, QJ; Guo, LP; Hu, TD 收藏  |  浏览/下载：69/3  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  TEMPERATURE ALN INTERLAYERS  PHASE EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  SURFACTANT  SUBSTRATE  STRESS  SI  REDUCTION  SAPPHIRE   ZnO thin films on Si(111) grown by pulsed laser deposition from metallic Zn target 期刊论文 applied surface science, 2006, 卷号: 253, 期号: 2, 页码: 841-845 Zhao J (Zhao Jie); Hu LZ (Hu Lizhong); Wang ZY (Wang Zhaoyang); Sun J (Sun Jie); Wang ZJ (Wang Zhijun) 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/04/11 ZnO  pulsed laser deposition  oxygen pressure  annealing  X-ray diffraction  photoluminescence  ULTRAVIOLET EMISSION  ROOM-TEMPERATURE  ZINC-OXIDE   Temperature dependence of surface quantum dots grown under frequent growth interruption 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 207-210 作者:  Jin P;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/04/11 growth interruption  in segregation  surface oxide  molecular beam epitaxy  quantum dots  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAAS  PHOTOLUMINESCENCE  LAYER  SHAPE  SIZE   A study of the interface of CeO2/Si heterostructure grown by ion beam deposition 期刊论文 vacuum, 1998, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 397-401 Wu ZL; Huang DD; Yang XZ 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 X-RAY PHOTOELECTRON  EPITAXIAL-GROWTH  SILICON  SPECTROSCOPY  SURFACES  SI(111)  OXIDES  LAYERS  SI