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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The effect of different oriented sapphire substrates on the growth of polar and non-polar ZnMgO by MOCVD 期刊论文 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 39-42 作者:  Song HP;  Shi K;  Sang L;  Wei HY 收藏  |  浏览/下载：58/3  |  提交时间：2011/07/05 Metal organic chemical vapor deposition  Sapphire  Zinc compounds  Semiconducting II-VI materials  VAPOR-PHASE EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  ZNO NANORODS  RAMAN-SCATTERING  M-PLANE  FILMS  PHOTOLUMINESCENCE  DEPOSITION  NANOWIRES  FIELDS   Characteristics of charge density waves on the surfaces of quasi-one-dimensional charge-transfer complex layered organic crystals 期刊论文 physical review b, 2011, 卷号: 83, 期号: 12, 页码: article no.125434 Lin F; Huang XM; Qu SC; Fang ZY; Huang S; Song WT; Zhu X; Liu ZF 收藏  |  浏览/下载：50/5  |  提交时间：2011/07/05 SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY  MOLECULAR CONDUCTORS  PHASE-TRANSITION  TETRACYANOQUINODIMETHANE  (EDO-TTF)(2)PF6  DERIVATIVES  TTF   Experiments and their analysis for self-assembly growth of GaN quantum dots via MOCVD 期刊论文 rare metal materials and engineering, 2005, 卷号: 34, 期号: 12, 页码: 1849-1853 Meng T; Zhu XF; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：306/9  |  提交时间：2010/04/11 GaN based quantum dots  self-assembly  S-K mode  MOCVD  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  STRANSKI-KRASTANOV GROWTH  OPTICAL-PROPERTIES  ALGAN SURFACES   Influence of high-temperature AIN buffer thickness on the properties of GaN grown on Si(111) 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 258, 期号: 1-2, 页码: 34-40 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：299/12  |  提交时间：2010/08/12 metalorganic chemical vapor deposition  nitrides  semiconductor III-V materials  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HIGH-QUALITY GAN  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  INTERMEDIATE LAYER  ALAS  ALN  SURFACES  SILICON  FILMS   Growth temperature effect on the optical and material properties of AlxInyGa1-x-yN epilayers grown by MOCVD 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 84-90 作者:  Li DB 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/08/12 surfaces  X-ray diffraction  growth from high temperature solutions  metalorganic chemical vapor deposition  nitrides  semiconducting III-V materials  TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE  QUANTUM-WELL  LUMINESCENCE  DIODES  GAN   A new method to fabricate InGaN quantum dots by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 235, 期号: 1-4, 页码: 188-194 Chen Z; Lu DH; Yuan HR; Han P; Liu XL; Li YF; Wang XH; Lu Y; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：101/11  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  metalorganic chemical vapor deposition  nitrides  GAN BUFFER LAYER  EPITAXIAL-GROWTH  PHASE EPITAXY  SURFACES  TEMPERATURE  DEPENDENCE  MODE  WIRE