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科研机构
半导体研究所 [10]
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期刊论文 [10]
发表日期
2008 [2]
2007 [1]
2006 [2]
2005 [1]
2003 [1]
2000 [1]
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学科主题
半导体材料 [10]
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学科主题:半导体材料
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Electronic structures of wurtzite ZnO, BeO, MgO and p-type doping in Zn1-xYxO (Y = Mg, Be)
期刊论文
computational materials science, 2008, 卷号: 44, 期号: 1, 页码: 72-78
Xu, Q
;
Zhang, XW
;
Fan, WJ
;
Li, SS
;
Xia, JB
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/03/08
Density functional theory
Electronic structure
Alloy
Doping
Band-gap bowing and p-type doping of (Zn, Mg, Be)O wide-gap semiconductor alloys: a first-principles study
期刊论文
european physical journal b, 2008, 卷号: 66, 期号: 4, 页码: 439-444
Shi HL
;
Duan Y
收藏
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浏览/下载:151/26
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提交时间:2010/03/08
SPECIAL QUASIRANDOM STRUCTURES
ZINCBLENDE
OFFSETS
GAASN
CDTE
BEO
Effects of doping on the crystalline quality and composition distribution in InGaN/GaN structure grown by MOCVD
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 298 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 235-238
Ran JX (Ran Junxue)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Hu GX (Hu Guoxin)
;
Li JP (Li Jianping)
;
Wang BZ (Wang Baozhu)
;
Xiao HL (Xiao Hongling)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Li JM (Li Jinmin)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
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浏览/下载:137/0
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提交时间:2010/03/29
doping
p-type Zn1-xMgxO films with Sb doping by radio-frequency magnetron sputtering
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 20, 页码: art.no.202102
Wang P (Wang Peng)
;
Chen NF (Chen Nuofu)
;
Yin ZG (Yin Zhigang)
;
Dai RX (Dai Ruixuan)
;
Bai YM (Bai Yiming)
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浏览/下载:63/0
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提交时间:2010/04/11
ZNO THIN-FILMS
MGXZN1-XO
DEVICES
ALLOY
Synthesis and temperature-dependent near-band-edge emission of chain-like Mg-doped ZnO nanoparticles
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 10, 页码: art.no.101902
Peng WQ
;
Qu SC
;
Cong GW
;
Wang ZG
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浏览/下载:625/5
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提交时间:2010/04/11
OPTICAL-PROPERTIES
ROOM-TEMPERATURE
PHOTOLUMINESCENCE
GROWTH
ALLOY
FILMS
Synthesis and luminescence of ZnMgS : Mn2+ nanoparticles
期刊论文
journal of nanoscience and nanotechnology, 2005, 卷号: 5, 期号: 9, 页码: 1465-1471
Zhang J
;
Su FH
;
Chen W
;
Sammynaiken R
;
Westcott SL
;
McCready DE
;
Li GH
;
Joly AG
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浏览/下载:138/30
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提交时间:2010/03/17
ZnMgS : Mn2+ nanoparticles
Photoluminescence of Mg-doped GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of vacuum science & technology a, 2003, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 838-841
Qu BZ
;
Zhu QS
;
Sun XH
;
Wan SK
;
Wang ZG
;
Nagai H
;
Kawaguchi Y
;
Hiramatsu K
;
Sawaki N
收藏
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浏览/下载:292/4
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提交时间:2010/08/12
P-TYPE GAN
LIGHT-EMITTING-DIODES
LOCALIZED EXCITONS
GALLIUM NITRIDE
FILMS
DEFECTS
LUMINESCENCE
COMPENSATION
SPECTROSCOPY
ACCEPTORS
Pulsed excimer laser annealing of Mg-doped cubic GaN
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 209, 期号: 1, 页码: 203-207
作者:
Zhao DG
收藏
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/08/12
annealing
cubic GaN
Mg doping
photoluminescence
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
III-V NITRIDE
P-TYPE GAN
OPTICAL-PROPERTIES
COMPENSATION
DIODES
FILMS
p-type co-doping study of GaN by photoluminescence
期刊论文
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 197, 期号: 1-2, 页码: 368-371
Zhang JP
;
Sun DZ
;
Wang XL
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/08/12
p-type co-doping
photoluminescence
acceptor ionization energy
IMPLANTED GAN
TRANSITIONS
ENERGY
GALLIUM NITRIDE
Donor acceptor pair in molecular beam epitaxy grown GaN
期刊论文
materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 1997, 卷号: 43, 期号: 0, 页码: 242-245
Ren GB
;
Dewsnip DJ
;
Lacklison DE
;
Orton JW
;
Cheng TS
;
Foxon CT
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/17
donor acceptor pair
GaN
molecular beam epitaxy
photoluminescence
shallow acceptor
GAAS
LUMINESCENCE
CD
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