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科研机构
半导体研究所 [8]
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期刊论文 [8]
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2008 [1]
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2003 [1]
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学科主题
半导体材料 [8]
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学科主题:半导体材料
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Catalytic Activation of Mg-Doped GaN by Hydrogen Desorption Using Different Metal Thin Layers
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2010, 卷号: 49, 期号: 10, 页码: art. no. 100201
Wei TB (Wei Tongbo)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Liu NX (Liu Naixin)
;
Lu HX (Lu Hongxi)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Wang GH (Wang Guohong)
;
Li JM (Li Jinmin)
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提交时间:2010/11/14
LOW-TEMPERATURE ACTIVATION
FILMS
Band-gap bowing and p-type doping of (Zn, Mg, Be)O wide-gap semiconductor alloys: a first-principles study
期刊论文
european physical journal b, 2008, 卷号: 66, 期号: 4, 页码: 439-444
Shi HL
;
Duan Y
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浏览/下载:151/26
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提交时间:2010/03/08
SPECIAL QUASIRANDOM STRUCTURES
ZINCBLENDE
OFFSETS
GAASN
CDTE
BEO
Effects of doping on the crystalline quality and composition distribution in InGaN/GaN structure grown by MOCVD
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 298 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 235-238
Ran JX (Ran Junxue)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Hu GX (Hu Guoxin)
;
Li JP (Li Jianping)
;
Wang BZ (Wang Baozhu)
;
Xiao HL (Xiao Hongling)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Li JM (Li Jinmin)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
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浏览/下载:136/0
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提交时间:2010/03/29
doping
Growth and annealing study of Mg-doped AlGaN and GaN/AlGaN superlattices
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 8, 页码: 2187-2189
Wang BZ (Wang Bao-Zhu)
;
Wang XL (Wang Xiao-Liang)
;
Hu GX (Hu Guo-Xin)
;
Ran JX (Ran Jun-Xue)
;
Wang XH (Wang Xin-Hua)
;
Guo LC (Guo Lun-Chun)
;
Xiao HL (Xiao Hong-Ling)
;
Li JP (Li Jian-Ping)
;
Zeng YP (Zeng Yi-Ping)
;
Li JM (Li Jin-Min)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/04/11
LIGHT-EMITTING-DIODES
Photoluminescence of Mg-doped GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of vacuum science & technology a, 2003, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 838-841
Qu BZ
;
Zhu QS
;
Sun XH
;
Wan SK
;
Wang ZG
;
Nagai H
;
Kawaguchi Y
;
Hiramatsu K
;
Sawaki N
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浏览/下载:292/4
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提交时间:2010/08/12
P-TYPE GAN
LIGHT-EMITTING-DIODES
LOCALIZED EXCITONS
GALLIUM NITRIDE
FILMS
DEFECTS
LUMINESCENCE
COMPENSATION
SPECTROSCOPY
ACCEPTORS
Photoluminescence and capacitance transients in highly Mg-doped GaN
期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2002, 卷号: 75, 期号: 3, 页码: 441-444
Lu L
;
Yang CL
;
Yan H
;
Yang H
;
Wang Z
;
Wang J
;
Ge W
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2010/08/12
P-TYPE GAN
BAND
LUMINESCENCE
ZNSE
Effect of thermal annealing on hole trap levels in Mg-doped GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy
期刊论文
journal of vacuum science & technology a, 2000, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 261-267
Zhu QS
;
Nagai H
;
Kawaguchi Y
;
Hiramatsu K
;
Sawaki N
收藏
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浏览/下载:64/0
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提交时间:2010/08/12
P-TYPE GAN
DEEP LEVELS
Pulsed excimer laser annealing of Mg-doped cubic GaN
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 209, 期号: 1, 页码: 203-207
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/08/12
annealing
cubic GaN
Mg doping
photoluminescence
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
III-V NITRIDE
P-TYPE GAN
OPTICAL-PROPERTIES
COMPENSATION
DIODES
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