×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [15]
内容类型
期刊论文 [14]
会议论文 [1]
发表日期
2013 [3]
2011 [3]
2010 [1]
2007 [1]
2006 [2]
2003 [1]
更多...
学科主题
半导体材料 [15]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共15条,第1-10条
帮助
限定条件
学科主题:半导体材料
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Monolithically Integrated 4-Channel-Selectable Light Sources Fabricated by the SAG Technology
期刊论文
photonics journal, ieee, 2013, 卷号: 5, 期号: 4, 页码: 1400407
Can Zhang, Hongliang Zhu, Song Liang, Liangshun Han, Wei Wang
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2014/03/19
Temperature Characteristics of Monolithically Integrated Wavelength-Selectable Light Sources
期刊论文
chinese physics letters, 2013, 卷号: 30, 期号: 10, 页码: 108501
HAN Liang-Shun, ZHU Hong-Liang, ZHANG Can, MA Li, LIANG Song, WANG Wei
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2014/03/17
Temperature Characteristics of Monolithically Integrated Wavelength-Selectable-Light Sources
期刊论文
chinese physics letters, 2013, 卷号: 30, 期号: 10, 页码: 108501
Han, Liang-Shun
;
Zhu, Hong-Liang
;
Zhang, Can
;
Ma, Li
;
Liang, Song
;
Wang, Wei
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2014/03/17
Anomalous Temperature Dependence of Photoluminescence in InAs/InAlGaAs/InP Quantum Wire and Dot Hybrid Nanostructures
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: article no.27801
作者:
Xu B
收藏
  |  
浏览/下载:51/3
  |  
提交时间:2011/07/05
CONTINUOUS-WAVE OPERATION
EMISSION
LASERS
WAVELENGTH
EXCITONS
ENERGY
Comparison of as-grown and annealed GaN/InGaN:Mg samples
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 34, 页码: 345101
Deng QW
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Yin HB
;
Chen H
;
Lin DF
;
Jiang LJ
;
Feng C
;
Li JM
;
Wang ZG
;
Hou X
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2012/01/06
LIGHT-EMITTING-DIODES
VAPOR-PHASE EPITAXY
BAND-GAP
MG
PHOTOLUMINESCENCE
INGAN
DEPENDENCE
STRAIN
ENERGY
INN
Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates
期刊论文
journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032
作者:
Pan X
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2011/09/14
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PHASE EPITAXY
ALN INTERLAYERS
FILMS
STRESS
LAYERS
DISLOCATIONS
REDUCTION
DENSITY
DIODES
A 10 Gb/s Directly-Modulated 1.3 mu m InAs/GaAs Quantum-Dot Laser
期刊论文
chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: art. no. 034209
Ji HM (Ji Hai-Ming)
;
Yang T (Yang Tao)
;
Cao YL (Cao Yu-Lian)
;
Xu PF (Xu Peng-Fei)
;
Gu YX (Gu Yong-Xian)
;
Liu Y (Liu Yu)
;
Xie L (Xie Liang)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
收藏
  |  
浏览/下载:154/28
  |  
提交时间:2010/04/22
ROOM-TEMPERATURE
PERFORMANCE
Reliable concentrated photovoltaic system with compound concentrator
会议论文
solar world congress of the international-solar-energy-society, beijing, peoples r china, sep 18-21, 2007
作者:
Huang TM
收藏
  |  
浏览/下载:34/0
  |  
提交时间:2010/03/09
SOLAR-CELLS
Electron resonant tunneling through InAs/GaAs quantum dots embedded in a Schottky diode with an AlAs insertion layer
期刊论文
journal of the electrochemical society, 2006, 卷号: 153, 期号: 7, 页码: g703-g706
作者:
Ye XL
;
Xu B
;
Jin P
收藏
  |  
浏览/下载:90/0
  |  
提交时间:2010/04/11
GAAS
SPECTROSCOPY
PARAMETERS
TRANSPORT
LASERS
ENERGY
STATES
HOLE
Morphological defects and uniformity issues of 4H-SiC homoepitaxial layers grown on off-oriented (0001)Si faces
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 275-278
Sun GS (Sun G. S.)
;
Liu XF (Liu X. F.)
;
Gong QC (Gong Q. C.)
;
Wang L (Wang L.)
;
Zhao WS (Zhao W. S.)
;
Li JY (Li J. Y.)
;
Zeng YP (Zeng Y. P.)
;
Li JM (Li J. M.)
收藏
  |  
浏览/下载:43/0
  |  
提交时间:2010/04/11
4H-SiC
homoepitaxial layers
surface morphological defect
optical microscopy
SILICON-CARBIDE
DISLOCATIONS
FILMS
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace