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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2009 [2]
2004 [1]
2003 [1]
1994 [1]
学科主题
半导体材料 [5]
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学科主题:半导体材料
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75
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Dislocation core effect scattering in a quasitriangle potential well
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 11, 页码: art. no. 112102
作者:
Wei HY
收藏
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浏览/下载:236/104
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提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
carrier density
carrier mobility
dislocation density
dislocation scattering
gallium compounds
III-V semiconductors
semiconductor heterojunctions
wide band gap semiconductors
Characterization of Thick GaN Films Directly Grown on Wet-Etching Patterned Sapphire by HVPE
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: art. no. 096801
作者:
Yang JK
;
Wei TB
;
Duan RF
收藏
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浏览/下载:73/3
  |  
提交时间:2010/03/08
VAPOR-PHASE EPITAXY
DISLOCATIONS
SUBSTRATE
LAYER
Ordering growth of InAs quantum dots on ultra-thin InGaAs strained layer
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 265, 期号: 1-2, 页码: 60-64
Zhang, CL
;
Wang, ZG
;
Zhao, FA
;
Xu, B
;
Jin, P
收藏
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浏览/下载:212/52
  |  
提交时间:2010/03/09
line defects
Microstructure of GaN films grown on Si(111) substrates by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 416-423
Hu GQ
;
Kong X
;
Wan L
;
Wang YQ
;
Duan XF
;
Lu Y
;
Liu XL
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2010/08/12
amorphous layer
dislocation
transmission electron microscopy
metalorganic chemical vapor deposition
GaN
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
HIGH-QUALITY GAN
HETEROEPITAXIAL GROWTH
ELECTRON-DIFFRACTION
DEFECT STRUCTURE
HETEROSTRUCTURE
DISLOCATIONS
MICROSCOPY
(111)SI
LAYER
ELECTRON-STATES OF A STACKING-FAULT RIBBON IN SILICON
期刊论文
solid state communications, 1994, 卷号: 92, 期号: 12, 页码: 987-989
LEHTO N
;
MARKLUND S
;
WANG YL
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/11/15
DISLOCATIONS
GERMANIUM
DISSOCIATION
ENERGY
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