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科研机构
半导体研究所 [15]
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期刊论文 [12]
会议论文 [3]
发表日期
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2007 [1]
2006 [1]
2005 [1]
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学科主题
半导体材料 [15]
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共15条,第1-10条
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学科主题:半导体材料
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Effect of silver growth temperature on the contacts between Ag and ZnO thin films
期刊论文
science in china series e-technological sciences, 2009, 卷号: 52, 期号: 9, 页码: 2779-2784
作者:
Li XK
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浏览/下载:90/1
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提交时间:2010/03/08
ZnO
Schottky barrier
interface
MSM structure
Energy band alignment of SiO2/ZnO interface determined by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 4, 页码: art. no. 043709
作者:
Zhang XW
;
Yin ZG
;
Song HP
;
You JB
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浏览/下载:80/3
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提交时间:2010/03/08
LIGHT-EMITTING-DIODES
ZNO
ELECTROLUMINESCENCE
OFFSETS
Spatial variation of optical and structural properties of ELO GaN directly grown on patterned sapphire by HVPE
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 9, 页码: 2881-2885
作者:
Wei TB
;
Duan RF
收藏
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/03/29
VAPOR-PHASE EPITAXY
XPS depth profiling study of n/TCO interfaces for p-i-n amorphous silicon solar cells
期刊论文
applied surface science, 2006, 卷号: 253, 期号: 3, 页码: 1677-1682
Sheng SR (Sheng Shuran)
;
Hao HY (Hao Huiying)
;
Diao HW (Diao Hongwei)
;
Zeng XB (Zeng Xiangbo)
;
Xu Y (Xu Ying)
;
Liao XB (Liao Xianbo)
;
Monchesky TL (Monchesky Theodore L.)
收藏
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2010/03/29
amorphous silicon
RF-MBE Grown AlGaN/GaN HEMT Structure with High Al Content
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: 1116-1120
作者:
Liu Jian
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/23
Microstructural and compositional characteristics of GaN films grown on a ZnO-buffered Si(111) wafer
期刊论文
micron, 2004, 卷号: 35, 期号: 6, 页码: 475-480
Luo, XH
;
Wang, RM
;
Zhang, XP
;
Zhang, HZ
;
Yu, DP
;
Luo, MC
收藏
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浏览/下载:145/32
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提交时间:2010/03/09
transmission electron microscopy
electron energy loss spectroscopy
molecular beam epitaxy
gallium nitride
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
EPITAXY
LAYER
Microstructural and compositional characteristics of GaN films grown on a ZnO-buffered Si(111) wafer
会议论文
international wuhan symposium on advanced electron microscopy (iwsaem), wuhan, peoples r china, oct 17-21, 2003
Luo XH
;
Wang RM
;
Zhang XP
;
Zhang HZ
;
Yu DP
;
Luo MC
收藏
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浏览/下载:18/1
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提交时间:2010/10/29
transmission electron microscopy
electron energy loss spectroscopy
molecular beam epitaxy
gallium nitride
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
EPITAXY
LAYER
Crystallization of amorphous Si films by pulsed laser annealing and their structural characteristics
期刊论文
semiconductor science and technology, 2004, 卷号: 19, 期号: 6, 页码: 759-763
Peng YC
;
Fu GS
;
Yu W
;
Li SQ
;
Wang YL
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浏览/下载:54/15
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提交时间:2010/03/09
EXCIMER-LASER
Impact of wide bandgap p-type nc-Si on the performance of a-Si solar cells
会议论文
international conference on material for advanced technologies, singapore, singapore, jul 01-06, 2001
Deng X
;
Wang W
;
Han S
;
Povolny H
;
Du W
;
Liao X
;
Xiang X
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/15
Characterization of hot-electron effects on flicker noise in III-V nitride based heterojunctions
期刊论文
mrs internet journal of nitride semiconductor research, 1999, 卷号: 4, 期号: 0, 页码: art.no.g6.4
Ho WY
;
Fong WK
;
Surya C
;
Tong KY
;
Lu LW
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/08/12
FLUCTUATIONS
QUALITY
DIODES
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