QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Growth of nonpolar a-plane GaN on nano-patterned r-plane sapphire substrates 期刊论文 applied surface science, 2009, 卷号: 255, 期号: 6, 页码: 3664-3668 Gao HY; Yan FW; Zhang Y; Li JM; Zeng YP; Wang JX 收藏  |  浏览/下载：165/24  |  提交时间：2010/03/08 GaN  Nonpolar  MOCVD  Nano-patterned   Growth and structural properties of GaN films on flat and vicinal SiC(0001) substrates 会议论文 international conference on material for advanced technologies, singapore, singapore, jul 01-06, 2001 Xie MH; Cheung SH; Zheng LX; Tong SY; Zhang BS; Yang H 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/15 MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Structural characteristic of cubic GaN nucleation layers on GaAs(001) substrates by MOCVD 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 242, 期号: 1-2, 页码: 124-128 Zheng XH; Feng ZH; Wang YT; Zheng WL; Jia QJ; Jiang XM; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：125/0  |  提交时间：2010/08/12 nucleation layers  X-ray diffraction  metalorganic chemical vapor deposition  gallium compounds  nitrides  LIGHT-EMITTING-DIODES  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  AIN BUFFER LAYER  GROWN GAN  SAPPHIRE SUBSTRATE  QUALITY  FILMS  BLUE  TEMPERATURE  EVOLUTION   X-ray double-crystal characterization of the strain relaxation in GaAs/GaNxAs1-x/GaAs(001) sandwiched structures 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 217, 期号: 1-2, 页码: 26-32 Pan Z; Wang YT; Li LH; Zhang W; Lin YW; Zhou ZQ; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/08/12 x-ray diffraction  strain relaxation  GaNxAs1-x/GaAs  photoluminescence  RHEED  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  TEMPERATURE PULSED OPERATION  BAND-GAP ENERGY  NITROGEN  GAASN  GANXAS1-X  GAAS1-XNX  ALLOYS  LASERS  LAYERS