×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [10]
内容类型
期刊论文 [9]
会议论文 [1]
发表日期
2007 [1]
2005 [2]
2004 [2]
2001 [2]
2000 [2]
1998 [1]
更多...
学科主题
半导体材料 [10]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共10条,第1-10条
帮助
限定条件
学科主题:半导体材料
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Evolution of InAs/GaAs(001) islands during the two- to three-dimensional growth mode transition in molecular-beam epitaxy
期刊论文
nanotechnology, 2007, 卷号: 18, 期号: 16, 页码: art.no.165301
Wu, J (Wu, J.)
;
Jin, P (Jin, P.)
;
Jiao, YH (Jiao, Y. H.)
;
Lv, XJ (Lv, X. J.)
;
Wang, ZG (Wang, Z. G.)
收藏
  |  
浏览/下载:28/0
  |  
提交时间:2010/03/29
ASSEMBLED QUANTUM DOTS
Investigation of Mn-implanted n-Si by low-energy ion beam deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 273, 期号: 3-4, 页码: 458-463
作者:
Yin ZG
收藏
  |  
浏览/下载:47/0
  |  
提交时间:2010/03/17
auger electron spectroscopy
Effect of fabrication conditions on I-V properties for ZnO varistor with high concentration additives by sol-gel technique
期刊论文
current applied physics, 2005, 卷号: 5, 期号: 4, 页码: 381-386
Zhang JC
;
Cao SX
;
Zhang RY
;
Yu LM
;
Jing C
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2010/03/17
ZnO nonlinear varistor
Investigation of Mn-implanted n-type Ge
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 265, 期号: 3-4, 页码: 466-470
作者:
Yin ZG
收藏
  |  
浏览/下载:104/34
  |  
提交时间:2010/03/09
Auger electron spectroscopy
FexSi grown with mass-analyzed low-energy dual ion beam deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 263, 期号: 1-4, 页码: 143-147
Liu LF
;
Chen NF
;
Zhang FQ
;
Chen CL
;
Li YL
;
Yang SY
;
Liu Z
收藏
  |  
浏览/下载:80/34
  |  
提交时间:2010/03/09
Auger electron spectroscopy
X-Ray diffraction determination of the fractions of hexagonal and twinned phases in cubic GaN layers grown on (001)GaAs substrate
期刊论文
thin solid films, 2001, 卷号: 392, 期号: 1, 页码: 29-33
Qu B
;
Zheng XH
;
Wang YT
;
Feng ZH
;
Liu SA
;
Lin SM
;
Yang H
;
Liang JW
收藏
  |  
浏览/下载:102/13
  |  
提交时间:2010/08/12
gallium nitride
X-ray diffraction
EPITAXY
RATIO
Polarity dependence of hexagonal inclusions and cubic twins in GaN/GaAs(001) epilayers measured by conventional X-ray pole figure and grazing incident diffraction pole figure
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 226, 期号: 1, 页码: 57-61
Qu B
;
Zheng XH
;
Wang YT
;
Lin SM
;
Yang H
;
Liang JW
收藏
  |  
浏览/下载:89/13
  |  
提交时间:2010/08/12
characterization
defects
X-ray diffraction
metalorganic vapor phase epitaxy
nitrides
semiconducting III-V materials
GAN
GROWTH
EPITAXY
The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 237-240
Sun XL
;
Wang YY
;
Yang H
;
Li JB
;
Zheng LX
;
Xu DP
;
Wang ZG
收藏
  |  
浏览/下载:47/0
  |  
提交时间:2010/08/12
metalorganic chemical vapor deposition
cubic GaN
hexagonal phase content
4-circle X-ray double crystal diffraction
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GALLIUM NITRIDE
THIN-FILMS
SILICON
GAAS
The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition
会议论文
1st asian conference on chemical vapour deposition, shanghai, peoples r china, may 10-13, 1999
Sun XL
;
Wang YY
;
Yang H
;
Li JB
;
Zheng LX
;
Xu DP
;
Wang ZG
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2010/11/15
metalorganic chemical vapor deposition
cubic GaN
hexagonal phase content
4-circle X-ray double crystal diffraction
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GALLIUM NITRIDE
THIN-FILMS
SILICON
GAAS
Microstructure evolution of GaN buffer layer on MgAl2O4 substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 478-483
作者:
Han PD
收藏
  |  
浏览/下载:37/0
  |  
提交时间:2010/08/12
GaN
MgAl2O4
buffer layer
threading dislocation
transmission electron microscopy
LASER-DIODES
GROWN GAN
FILMS
SAPPHIRE
NITRIDE
DEFECTS
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace