中国开放科研知识云: 检索

验证码:

换一张

忘记密码？记住我

取消登录

CORC

首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务

在结果中检索

科研机构

半导体研究所 [10]

内容类型

期刊论文 [9]

会议论文 [1]

发表日期

学科主题

半导体材料 [10]

知识图谱

CORC

已提交作品

待认领作品

已认领作品

未提交全文

浏览/检索结果: 共10条，第1-10条

帮助

限定条件	学科主题：半导体材料

已选(0)清除条数/页：排序方式：
	Evolution of InAs/GaAs(001) islands during the two- to three-dimensional growth mode transition in molecular-beam epitaxy 期刊论文 nanotechnology, 2007, 卷号: 18, 期号: 16, 页码: art.no.165301 Wu, J (Wu, J.); Jin, P (Jin, P.); Jiao, YH (Jiao, Y. H.); Lv, XJ (Lv, X. J.); Wang, ZG (Wang, Z. G.) 收藏 \| 浏览/下载：28/0 \| 提交时间：2010/03/29 ASSEMBLED QUANTUM DOTS
	Investigation of Mn-implanted n-Si by low-energy ion beam deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 273, 期号: 3-4, 页码: 458-463 作者: Yin ZG 收藏 \| 浏览/下载：47/0 \| 提交时间：2010/03/17 auger electron spectroscopy
	Effect of fabrication conditions on I-V properties for ZnO varistor with high concentration additives by sol-gel technique 期刊论文 current applied physics, 2005, 卷号: 5, 期号: 4, 页码: 381-386 Zhang JC; Cao SX; Zhang RY; Yu LM; Jing C 收藏 \| 浏览/下载：21/0 \| 提交时间：2010/03/17 ZnO nonlinear varistor
	Investigation of Mn-implanted n-type Ge 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 265, 期号: 3-4, 页码: 466-470 作者: Yin ZG 收藏 \| 浏览/下载：104/34 \| 提交时间：2010/03/09 Auger electron spectroscopy
	FexSi grown with mass-analyzed low-energy dual ion beam deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 263, 期号: 1-4, 页码: 143-147 Liu LF; Chen NF; Zhang FQ; Chen CL; Li YL; Yang SY; Liu Z 收藏 \| 浏览/下载：80/34 \| 提交时间：2010/03/09 Auger electron spectroscopy
	X-Ray diffraction determination of the fractions of hexagonal and twinned phases in cubic GaN layers grown on (001)GaAs substrate 期刊论文 thin solid films, 2001, 卷号: 392, 期号: 1, 页码: 29-33 Qu B; Zheng XH; Wang YT; Feng ZH; Liu SA; Lin SM; Yang H; Liang JW 收藏 \| 浏览/下载：102/13 \| 提交时间：2010/08/12 gallium nitride X-ray diffraction EPITAXY RATIO
	Polarity dependence of hexagonal inclusions and cubic twins in GaN/GaAs(001) epilayers measured by conventional X-ray pole figure and grazing incident diffraction pole figure 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 226, 期号: 1, 页码: 57-61 Qu B; Zheng XH; Wang YT; Lin SM; Yang H; Liang JW 收藏 \| 浏览/下载：88/13 \| 提交时间：2010/08/12 characterization defects X-ray diffraction metalorganic vapor phase epitaxy nitrides semiconducting III-V materials GAN GROWTH EPITAXY
	The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 237-240 Sun XL; Wang YY; Yang H; Li JB; Zheng LX; Xu DP; Wang ZG 收藏 \| 浏览/下载：47/0 \| 提交时间：2010/08/12 metalorganic chemical vapor deposition cubic GaN hexagonal phase content 4-circle X-ray double crystal diffraction MOLECULAR-BEAM EPITAXY GALLIUM NITRIDE THIN-FILMS SILICON GAAS
	The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition 会议论文 1st asian conference on chemical vapour deposition, shanghai, peoples r china, may 10-13, 1999 Sun XL; Wang YY; Yang H; Li JB; Zheng LX; Xu DP; Wang ZG 收藏 \| 浏览/下载：13/0 \| 提交时间：2010/11/15 metalorganic chemical vapor deposition cubic GaN hexagonal phase content 4-circle X-ray double crystal diffraction MOLECULAR-BEAM EPITAXY GALLIUM NITRIDE THIN-FILMS SILICON GAAS
	Microstructure evolution of GaN buffer layer on MgAl2O4 substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 478-483 作者: Han PD 收藏 \| 浏览/下载：37/0 \| 提交时间：2010/08/12 GaN MgAl2O4 buffer layer threading dislocation transmission electron microscopy LASER-DIODES GROWN GAN FILMS SAPPHIRE NITRIDE DEFECTS CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION

相关链接
欧盟学术资源开放存取平台
CALIS高校机构知识库
台湾学术机构典藏
香港机构知识库整合系统
中国科学院机构知识库网格系统

CORC
关于我们
服务条款
隐私条款

联系我们
0931-8270076
cspace@llas.ac.cn
China-OR

中文简体

©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace