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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Temperature dependence of surface quantum dots grown under frequent growth interruption 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 207-210 作者:  Jin P;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/04/11 growth interruption  in segregation  surface oxide  molecular beam epitaxy  quantum dots  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAAS  PHOTOLUMINESCENCE  LAYER  SHAPE  SIZE   Photoluminescence study on coarsening of self-assembled InAlAs quantum dots on GaAs (001) 会议论文 40th electronic materials conference (emc-40), charlottesville, virginia, jun 24-26, 1998 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/15 bimodal distribution  photoluminescence (PL)  quantum-size effect  GE  ENSEMBLES  SI(100)  GROWTH  SHAPE   Photoluminescence study on coarsening of self-assembled InAlAs quantum dots on GaAs (001) 期刊论文 journal of electronic materials, 1999, 卷号: 28, 期号: 5, 页码: 528-531 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 bimodal distribution  photoluminescence (PL)  quantum-size effect  ENSEMBLES  SI(100)  GROWTH  SHAPE  GE