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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Valence band offset of MgO/TiO2 (rutile) heterojunction measured by X-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文 applied surface science, 2010, 卷号: 256, 期号: 23, 页码: 7327-7330 Zheng GL (Zheng Gaolin); Wang J (Wang Jun); Liu XL (Liu Xianglin); Yang AL (Yang Anli); Song HP (Song Huaping); Guo Y (Guo Yan); Wei HY (Wei Hongyuan); Jiao CM (Jiao Chunmei); Yang SY (Yang Shaoyan); Zhu QS (Zhu Qinsheng); Wang ZG (Wang Zhanguo) 收藏  |  浏览/下载：167/22  |  提交时间：2010/08/17 MgO  Rutile  Band offset  X-ray photoelectron spectroscopy  Gate dielectric  Dye-sensitized solar cells   Development of high-k gate dielectric materials 期刊论文 journal of inorganic materials, 2008, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 865-871 Wu DQ; Zhao HS; Yao JC; Zhang DY; Chang AM 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/03/08 high-K gate dielectrics   Valence band offset of MgO/InN heterojunction measured by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 4, 页码: art. no. 042906 Zhang, PF; Liu, XL; Zhang, RQ; Fan, HB; Song, HP; Wei, HY; Jiao, CM; Yang, SY; Zhu, QS; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：39/2  |  提交时间：2010/03/08 INN  ALN  GAN   Properties of high k gate dielectric gadolinium oxide deposited on Si(100) by dual ion beam deposition (DIBD) 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 270, 期号: 1-2, 页码: 21-29 Zhou JP; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Song SL; Li YL; Chen NF 收藏  |  浏览/下载：143/35  |  提交时间：2010/03/09 auger electron spectroscopy   Dielectric properties of Bi2Ti2O7 films grown on Si(100) substrate by APMOCVD 期刊论文 ferroelectrics, 2002, 卷号: 271, 期号: 0, 页码: 1707-1713 Wang H; Shang SX; Yao WF; Hou Y; Xu XH; Wang D; Wang M; Yu JZ 收藏  |  浏览/下载：80/0  |  提交时间：2010/08/12 Bi2Ti2O7  thin film  MOCVD  (111) orientation  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  CRYSTAL THIN-FILMS