CORC

在结果中检索

CORC

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Effect of In0.2Ga0.8As and In0.2Al0.8As combination layer on band offsets of InAs quantum dots 期刊论文
applied physics letters, 2004, 卷号: 84, 期号: 25, 页码: 5237-5239
作者:  Xu B
收藏  |  浏览/下载：182/81  |  提交时间：2010/03/09
Quality improvement of GaInNAs/GaAs quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 527-531
Li LH; Pan Z; Zhang W; Lin YW; Wang XY; Wu RH
收藏  |  浏览/下载：81/6  |  提交时间：2010/08/12
Electronic characteristics of InAs/GaAs self-assembled quantum dots by deep level transient spectroscopy 期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 107-112
Wang HL; Ning D; Zhu HJ; Chen F; Wang H; Wang XD; Feng SL
收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/08/12
Evolution of height distribution of Ge islands on Si(1 0 0) 期刊论文
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 617-620
Liu JP; Gong Q; Huang DD; Li JP; Sun DZ; Kong MY
收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12
Self-limiting MBE growth and characterization of three-dimensionally confined nanostructures on patterned GaAs(311)A substrates 期刊论文
journal of electronic materials, 1999, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 1-5
Niu ZC; Notzel R; Jahn U; Schonherr HP; Fricke J; Ploog KH
收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/08/12
Annealing behavior of InAs/GaAs quantum dot structures 期刊论文
journal of electronic materials, 1998, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: 59-61
Wang ZM; Feng SL; Lu ZD; Zhao Q; Yang XP; Chen ZG; Xu ZY; Zheng HZ
收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/08/12
Improvement of the stability of hydrogenated amorphous silicon films by intermittent illumination treatment at elevated temperature 期刊论文
journal of applied physics, 1996, 卷号: 80, 期号: 6, 页码: 3607-3609
Sheng SR; Kong GL; Liao XB
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/17

©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace