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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2010 [1]
2009 [2]
2003 [2]
2002 [1]
2000 [1]
学科主题
半导体材料 [7]
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学科主题:半导体材料
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Gate controlled Aharonov-Bohm-type oscillations from single neutral excitons in quantum rings
期刊论文
physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 7, 页码: art. no. 075309
Ding F (Ding F.)
;
Akopian N (Akopian N.)
;
Li B (Li B.)
;
Perinetti U (Perinetti U.)
;
Govorov A (Govorov A.)
;
Peeters FM (Peeters F. M.)
;
Bufon CCB (Bufon C. C. Bof)
;
Deneke C (Deneke C.)
;
Chen YH (Chen Y. H.)
;
Rastelli A (Rastelli A.)
;
Schmidt OG (Schmidt O. G.)
;
Zwiller V (Zwiller V.)
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浏览/下载:185/34
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提交时间:2010/09/07
ENERGY-SPECTRA
Structural and optical properties of ZnO films on SrTiO3 substrates by MOCVD
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 1, 页码: art. no. 015415
作者:
Jia CH
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浏览/下载:173/14
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提交时间:2010/03/08
PULSED-LASER DEPOSITION
THIN-FILMS
ZINC-OXIDE
PHOTOLUMINESCENCE
TEMPERATURE
SAPPHIRE
SURFACE
GROWTH
Improvement in crystal quality of ZnO film on Si substrate by using a homo-buffer layer
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2009, 卷号: 12, 期号: 6, 页码: 233-237
作者:
Zhao J
收藏
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浏览/下载:44/4
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提交时间:2011/07/05
ZnO
Pulsed laser deposition
X-ray diffraction
Photoluminescence
Reflection high-energy electron diffraction
PULSED-LASER DEPOSITION
THIN-FILMS
PLD TECHNIQUE
GROWTH
SAPPHIRE
TEMPERATURE
Realization of quantum cascade laser operating at room temperature
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 285-289
作者:
Jin P
;
Li CM
收藏
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/08/12
crystal structure
lattice-mismatch
microsctucture
radiation
X-ray diffraction
molecular beam epitaxy
infrared devices
quantum cascade laser
MU-M
Photoluminescence of Mg-doped GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of vacuum science & technology a, 2003, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 838-841
Qu BZ
;
Zhu QS
;
Sun XH
;
Wan SK
;
Wang ZG
;
Nagai H
;
Kawaguchi Y
;
Hiramatsu K
;
Sawaki N
收藏
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浏览/下载:292/4
  |  
提交时间:2010/08/12
P-TYPE GAN
LIGHT-EMITTING-DIODES
LOCALIZED EXCITONS
GALLIUM NITRIDE
FILMS
DEFECTS
LUMINESCENCE
COMPENSATION
SPECTROSCOPY
ACCEPTORS
A new method to fabricate InGaN quantum dots by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 235, 期号: 1-4, 页码: 188-194
Chen Z
;
Lu DH
;
Yuan HR
;
Han P
;
Liu XL
;
Li YF
;
Wang XH
;
Lu Y
;
Wang ZG
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浏览/下载:101/11
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提交时间:2010/08/12
nanostructures
metalorganic chemical vapor deposition
nitrides
GAN BUFFER LAYER
EPITAXIAL-GROWTH
PHASE EPITAXY
SURFACES
TEMPERATURE
DEPENDENCE
MODE
WIRE
Initial stages of GaN/GaAs (100) growth by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of electronic materials, 2000, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 177-182
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/08/12
cubic GaN
hexagonal GaN
buffer layer
AFM
RHEED
CUBIC GAN
FILMS
GAAS
DEPENDENCE
NITRIDE
LAYERS
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