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Epitaxial properties of ZnO thin films on LaAlO3 substrates by pulsed laser deposition 期刊论文
journal of crystal growth, 2015, 卷号: 421, 页码: 19–22
C.H. Jia; S.Wang; Y.H.Wu; Y.H.Chen; X.W.Sun; W.F.Zhang
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2016/03/23
Tetragonal-tetragonal-monoclinic-rhombohedral transition: Strain relaxation of heavily compressed BiFeO3 epitaxial thin films 期刊论文
applied physics letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 5, 页码: 052908
Fu, Z; Yin, ZG; Chen, NF; Zhang, XW; Zhao, YJ; Bai, YM; Chen, Y; Wang, HH; Zhang, XL; Wu, JL
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2015/03/19
Ferroelectric memristive effect in BaTiO3 epitaxial thin films 期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2014, 卷号: 47, 期号: 36, 页码: 365102
Chen, X; Jia, CH; Chen, YH; Yang, G; Zhang, WF
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2015/04/02
Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching 期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145
作者:  Duan RF
收藏  |  浏览/下载：80/4  |  提交时间：2011/07/05
Improvement of electroluminescent performance of n-ZnO/AlN/p-GaN light-emitting diodes by optimizing the AlN barrier layer 期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.93708
作者:  Zhang XW
收藏  |  浏览/下载：47/3  |  提交时间：2011/07/05
Valence band offset of GaN/diamond heterojunction measured by X-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文
applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 18, 页码: 8110-8112
作者:  Shi K;  Jiao CM;  Song HP
收藏  |  浏览/下载：94/7  |  提交时间：2011/07/05
Electrodepostied polyaniline films decorated with nano-islands: Characterization and application as anode buffer layers in solar cells 期刊论文
solar energy materials and solar cells, 2011, 卷号: 95, 期号: 2, 页码: 440-445
作者:  Liu K;  Tan FR
收藏  |  浏览/下载：87/5  |  提交时间：2011/07/05
GaN grown with InGaN as a weakly bonded layer 期刊论文
crystengcomm, 2011, 卷号: 13, 期号: 5, 页码: 1580-1585
作者:  Wei HY;  Song HP
收藏  |  浏览/下载：63/4  |  提交时间：2011/07/05
Stable organic solar cells employing MoO(3)-doped copper phthalocyanine as buffer layer 期刊论文
applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 22, 页码: 9382-9385
Cao GH; Li LS; Guan M; Zhao J; Li YY; Zeng YP
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2012/01/06
Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates 期刊论文
journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032
作者:  Pan X
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2011/09/14

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