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| Fermi-Level Pinning at Metal/High-k Interface Influenced by Electron State Density of Metal Gate 期刊论文
ieee electron device letters, 2010, 卷号: 31, 期号: 10, 页码: 1101-1103
Yang ZC (Yang Z. C.); Huang AP (Huang A. P.); Zheng XH (Zheng X. H.); Xiao ZS (Xiao Z. S.); Liu XY (Liu X. Y.); Zhang XW (Zhang X. W.); Chu PK (Chu Paul K.); Wang WW (Wang W. W.)
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| Dislocation core effect scattering in a quasitriangle potential well 期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 11, 页码: art. no. 112102
作者: Wei HY
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| Well-width dependence of in-plane optical anisotropy in (001) GaAs/AlGaAs quantum wells induced by in-plane uniaxial strain and interface asymmetry 期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 10, 页码: art. no. 103108
作者: Xu B; Ye XL
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| Anomalous temperature dependence of photoluminescence from stoichiometric GD(2)O(3-x) film 期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 1-2, 页码: 136-142
Zhou JP; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Song SL; Chen NF
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| Growth of nano-structures on composition-modulated InAlAs surfaces 期刊论文
journal of physics-condensed matter, 2004, 卷号: 16, 期号: 43, 页码: 7603-7610
作者: Jin P; Ye XL; Xu B
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| Structure and optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots with In0.15Ga0.85As underlying layer 期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 240, 期号: 3-4, 页码: 395-400
作者: Xu B; Ye XL
收藏 | 浏览/下载：63/0 | 提交时间：2010/08/12
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| The effects of concomitant In and N incorporation on the photoluminescence of GaInNAs 期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 2, 页码: 261-266
作者: Jiang DS
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| Effect of InAlAs/InGaAs cap layer on optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 241, 期号: 3, 页码: 304-308
作者: Xu B; Li CM; Jin P; Ye XL; Li DB
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| Dependence of optical properties on the structure of multi-layer self-organized InAs quantum dots emitting near 1.3 mu m 期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 3-4, 页码: 432-438
作者: Jin P; Ye XL; Li CM; Xu B
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| Effect of InxGa1-xAs (0 <= x <= 0.4) capping layer on self-assembled 1.3 mu m wavelength InAs/GaAs quantum islands 期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 3, 页码: 363-368
Wang XD; Niu ZC; Feng SL; Miao ZH
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