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科研机构
半导体研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [5]
会议论文 [1]
发表日期
2001 [1]
2000 [2]
1998 [1]
1996 [2]
学科主题
半导体材料 [6]
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学科主题:半导体材料
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Observation of deep electron states in n-type Al-doped ZnS1-xTex grown by molecular beam epitaxy
会议论文
6th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, shanghai, peoples r china, oct 22-25, 2001
Lu LW
;
Ge WK
;
Sou IK
;
Wang J
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/10/29
ZNSTE
Point defects in III-V compound semiconductors
期刊论文
defects and diffusion in semiconductors, 2000, 卷号: 183-1, 期号: 0, 页码: 85-93
Chen N
收藏
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/08/12
compound semiconductors
point defects
deep level centres
stoichiometry
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAAS SINGLE-CRYSTALS
SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE
SEMI-INSULATING GAAS
ELECTRICAL-PROPERTIES
LATTICE-PARAMETER
NATIVE DEFECTS
CARBON
DIFFRACTOMETER
STOICHIOMETRY
DX-like centers in n-type Al-doped ZnS1-xTex grown by molecular-beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 216, 期号: 1-4, 页码: 141-146
Lu LW
;
Mak KK
;
Ma ZH
;
Wang J
;
Sou IK
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/08/12
DX-like centers
ZnS1-xTex
hmolecular-beam epitaxy
ZNSTE
Threshold reduction in strained-layer InGaAs/GaAs quantum well lasers by liquid phase epitaxy regrowth
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 194, 期号: 1, 页码: 25-30
Lu LW
;
Zhang YH
;
Yang GW
;
Wang J
;
Ge WK
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2010/08/12
InGaAs/GaAs quantum wells
DLTS measurements
nonradiative centers
THICKNESS
Characterization of deep centers in AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMT structures grown by molecular beam epitaxy and hydrogen treatment
期刊论文
journal of crystal growth, 1996, 卷号: 169, 期号: 4, 页码: 637-642
Lu LW
;
Feng SL
;
Liang JB
;
Wang ZG
;
Wang J
;
Wang Y
;
Ge WK
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/17
ALXGA1-XAS
TRENDS
Deep centers in AlGaAs/GaAs GRIN-SCH SQW laser structures grown by MBE and MOCVD
期刊论文
journal of crystal growth, 1996, 卷号: 169, 期号: 4, 页码: 643-648
Lu LW
;
Feng SL
;
Xu JY
;
Yang H
;
Wang ZG
;
Wang J
;
Wang Y
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/17
ALXGA1-XAS
EPITAXY
TRAPS
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