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半导体研究所 [20]
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2011 [1]
2010 [1]
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学科主题
半导体材料 [20]
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学科主题:半导体材料
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Electrical transport properties of boron-doped single-walled carbon nanotubes
期刊论文
journal of applied physics, 2013, 卷号: 113, 期号: 5, 页码: 054313
Li, Y. F.
;
Wang, Y.
;
Chen, S. M.
;
Wang, H. F.
;
Kaneko, T.
;
Hatakeyama, R.
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2013/09/22
Electrical transport properties of the Si-doped cubic boron nitride thin films prepared by in situ cosputtering
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 2, 页码: article no.23716
作者:
Yin ZG
;
Zhang XW
;
Tan HR
;
Fan YM
;
Zhang SG
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浏览/下载:42/3
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提交时间:2011/07/05
HIGH-PRESSURE SYNTHESIS
VAPOR-DEPOSITION
NUCLEATION
EMISSION
DIAMOND
GROWTH
Effects of silicon incorporation on composition, structure and electric conductivity of cubic boron nitride thin films
期刊论文
diamond and related materials, 2010, 卷号: 19, 期号: 11, 页码: 1371-1376
Ying J (Ying J.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Fan YM (Fan Y. M.)
;
Tan HR (Tan H. R.)
;
Yin ZG (Yin Z. G.)
收藏
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2010/12/28
Cubic boron nitride
Doping
Ion beam assisted deposition
X-ray photoelectron spectroscopy
RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY
VAPOR-DEPOSITION
SI
NUCLEATION
GROWTH
In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD
会议论文
international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007
Sun, GS
;
Zhao, YM
;
Wang, L
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Liu, XF
;
Ji, G
;
Zeng, YP
收藏
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/03/09
in-situ doping
boron
aluminum
memory effects
hot-wall LPCVD
4H-SiC
Stress and resistivity controls on in situ boron doped LPCVD polysilicon films for high-Q MEMS applications
期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 34-38
Xie Jing
;
Liu Yunfei
;
Yang Jinling
;
Tang Longjuan
;
Yang Fuhua
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2010/11/23
Boron-doped silicon film as a recombination layer in the tunnel junction of a tandem solar cell
期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 6, 页码: 25-28
作者:
Liu Shiyong
;
Peng Wenbo
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/23
Band gap narrowing in heavily B doped Si1-xGex strained layers
期刊论文
acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 11, 页码: 6654-6659
Yao F (Yao Fei)
;
Xue CL (Xue Chun-Lai)
;
Cheng BW (Cheng Bu-Wen)
;
Wang QM (Wang Qi-Ming)
收藏
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/03/29
SiGe layer
Growth and characterization of semi-insulating GaN films grown by MOCVD
期刊论文
journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 期号: sp.iss.si, 页码: 14-18
Fang CB
;
Wang XL
;
Hu GX
;
Wang JX
;
Wang CM
;
Li JM
收藏
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/04/11
MOCVD
GaN
resistivity
TSC
N-TYPE GAN
DOPED GAN
SPECTROSCOPY
CARBON
FE
Photoluminescence and Raman scattering correlated study of boron-doped silicon nanowires
会议论文
icmat symposium on science and technologies of nanomaterials, singapore, singapore, dec 07-12, 2003
Zeng, XB
;
Liao, XB
;
Dai, ST
;
Wang, B
;
Xu, YY
;
Xiang, XB
;
Hu, ZH
;
Diao, HW
;
Kong, GL
收藏
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浏览/下载:203/49
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提交时间:2010/03/29
chemical vapor deposition processes
nanomaterials
semiconducting silicon
VISIBLE PHOTOLUMINESCENCE
POROUS SILICON
AMORPHOUS-SILICON
SI
SPECTROSCOPY
FILMS
NANOSTRUCTURES
CONFINEMENT
GROWTH
NIP a-Si : H solar cells on stanless steel with p-type nc-Si : H window layer
期刊论文
acta physica sinica, 2005, 卷号: 54, 期号: 6, 页码: 2945-2949
Hu ZH
;
Liao XB
;
Diao HW
;
Xia CF
;
Zeng XB
;
Hao HY
;
Kong GL
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浏览/下载:35/14
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提交时间:2010/03/17
hydrogenated nanocrystalline silicon
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