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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Dielectric relaxation and giant dielectric constant of Nb-doped CaCu3Ti4O12 ceramics under dc bias voltage 期刊论文 physica status solidi a-applications and materials science, 2009, 卷号: 206, 期号: 3, 页码: 562-566 Liu P; He Y; Zhou JP; Mu CH; Zhang HW 收藏  |  浏览/下载：156/21  |  提交时间：2010/03/08 COPPER-TITANATE  GRAIN-BOUNDARY  BEHAVIOR   Polymerization of ionic liquid-based microemulsions: A versatile method for the synthesis of polymer electrolytes 期刊论文 macromolecules, 2008, 卷号: 41, 期号: 10, 页码: 3389-3392 Yu, SM; Yan, F; Zhang, XW; You, JB; Wu, PY; Lu, JM; Xu, QF; Xia, XW; Ma, GL 收藏  |  浏览/下载：65/1  |  提交时间：2010/03/08 ROTATIONAL RELAXATION  BEHAVIOR  MICELLES  STYRENE  PHASE  COUMARIN-153  SURFACTANTS  SOLVATION  CATALYSIS  DYNAMICS   In0.25Ga0.75As growth on low-temperature thin buffer layers formed on GaAs (001) substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 126-130 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/08/12 dislocation  interfaces  strain  molecular beam epitaxy  semiconductor IIIV materials  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SURFACE-MORPHOLOGY  TECHNOLOGY  GAAS(001)  BEHAVIOR  SI   The effects of concomitant In and N incorporation on the photoluminescence of GaInNAs 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 2, 页码: 261-266 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 photoluminescence  molecular beam epitaxy  quantum wells  III-V semiconductors  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SINGLE-QUANTUM-WELL  LUMINESCENCE  GAAS  LOCALIZATION  BEHAVIOR  LAYER   ELECTRICAL CHARACTERS OF OXYGEN DEFECTS IN SILICON SUBJECTED TO INTRINSIC GETTERING TREATMENT 期刊论文 journal of applied physics, 1991, 卷号: 70, 期号: 1, 页码: 511-513 LI JM 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/15 CZOCHRALSKI-GROWN SILICON  MICRODEFECTS  DISLOCATIONS  BEHAVIOR  WAFERS