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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Anomalous temperature dependence of photoluminescence peak energy in InAs/InAlAs/InP quantum dots 期刊论文 solid state communications, 2006, 卷号: 137, 期号: 11, 页码: 606-610 作者:  Jin P;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：100/0  |  提交时间：2010/04/11 nanostructures  semiconductors  optical properties  luminescence  WAVELENGTH  NANOSTRUCTURES  INTERBAND  LASERS   Anomalous temperature dependence of photoluminescence from stoichiometric GD(2)O(3-x) film 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 1-2, 页码: 136-142 Zhou JP; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Song SL; Chen NF 收藏  |  浏览/下载：107/14  |  提交时间：2010/03/09 photoluminescence   The effects of concomitant In and N incorporation on the photoluminescence of GaInNAs 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 2, 页码: 261-266 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 photoluminescence  molecular beam epitaxy  quantum wells  III-V semiconductors  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SINGLE-QUANTUM-WELL  LUMINESCENCE  GAAS  LOCALIZATION  BEHAVIOR  LAYER   Hydrogen behavior in GaN epilayers grown by NH3-MBE 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 371-375 Kong MY; Zhang JP; Wang XL; Sun DZ 收藏  |  浏览/下载：99/8  |  提交时间：2010/08/12 impurities  molecular beam epitaxy  nitrides  semiconducting III-V materials  GALLIUM NITRIDE  SAPPHIRE SUBSTRATE  DEFECTS  HETEROSTRUCTURE  SEMICONDUCTORS  STRESS   Hydrogen behavior in GaN epilayers grown by NH3-MBE 会议论文 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 Kong MY; Zhang JP; Wang XL; Sun DZ 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/15 impurities  molecular beam epitaxy  nitrides  semiconducting III-V materials  GALLIUM NITRIDE  SAPPHIRE SUBSTRATE  DEFECTS  HETEROSTRUCTURE  SEMICONDUCTORS  STRESS   Identification of induced reaction during XPS depth profile measurements of CeO2/Si films grown by ion beam epitaxy 期刊论文 vacuum, 1998, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 133-137 Wu Z; Huang D; Yang X; Wang J; Qin F; Zhang J; Yang Z 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 SPECTROSCOPY  ENERGY