中国开放科研知识云: 检索

验证码:

换一张

忘记密码？记住我

取消登录

CORC

首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务

在结果中检索

科研机构

半导体研究所 [12]

内容类型

期刊论文 [11]

学位论文 [1]

发表日期

学科主题

半导体材料 [12]

半导体器件 [1]

半导体物理 [1]

知识图谱

CORC

已提交作品

待认领作品

已认领作品

未提交全文

浏览/检索结果: 共12条，第1-10条

帮助

限定条件	学科主题：半导体材料

已选(0)清除条数/页：排序方式：
	硅基III-V族半导体材料的外延生长及量子点激光器研究学位论文博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 刘广政收藏 \| 浏览/下载：511/0 \| 提交时间：2016/06/03 GaAs/Si GaAs/Ge 两步法四步法量子点激光器
	Molecular beam epitaxy of GaSb on GaAs substrates with AlSb/GaSb compound buffer layers 期刊论文 thin solid films, 2010, 卷号: 519, 期号: 1, 页码: 228-230 Hao RT (Hao Ruiting); Deng SK (Deng Shukang); Shen LX (Shen Lanxian); Yang PZ (Yang Peizhi); Tu JL (Tu Jielei); Liao H (Liao Hua); Xu YQ (Xu Yingqiang); Niu ZC (Niu Zhichuan) 收藏 \| 浏览/下载：41/0 \| 提交时间：2010/12/28 Gallium Arsenide Gallium antimonide Gallium antimonide/Aluminum antimonide Superlattices Molecular Beam Epitaxy VAPOR-PHASE EPITAXY SURFACE-MORPHOLOGY GROWTH SUPERLATTICES TEMPERATURE RELAXATION DETECTORS GAAS(001) MOCVD FILMS
	Study on surface morphology of GaN growth by MOCVD on GaN/Si(111) template 期刊论文 journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 期号: sp.iss.si, 页码: 40495 Liu Z; Wang JX; Wang XL; Hu GX; Guo LC; Liu HX; Li JP; Li JM; Zeng YP 收藏 \| 浏览/下载：44/0 \| 提交时间：2010/04/11 surface morphology GaN/Si template GaN MOCVD ALLOYS MOVPE
	In0.25Ga0.75As growth on low-temperature thin buffer layers formed on GaAs (001) substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 126-130 作者: Xu B 收藏 \| 浏览/下载：56/0 \| 提交时间：2010/08/12 dislocation interfaces strain molecular beam epitaxy semiconductor IIIV materials MOLECULAR-BEAM EPITAXY SURFACE-MORPHOLOGY TECHNOLOGY GAAS(001) BEHAVIOR SI
	Influences of reactor pressure of GaN buffer layers on morphological evolution of GaN grown by MOCVD 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 248-253 作者: Zhang SM 收藏 \| 浏览/下载：293/3 \| 提交时间：2010/08/12 in situ laser reflectometry lateral overgrowths surface morphology metalorganic chemical vapor deposition GaN CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION LIGHT-EMITTING-DIODES SAPPHIRE SUBSTRATE NUCLEATION LAYERS QUALITY TEMPERATURE
	Influence of growth conditions on self-assembled InAs nanostructures grown on (001)InP substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 4, 页码: 518-522 作者: Xu B 收藏 \| 浏览/下载：105/8 \| 提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy semiconductor III-V materials QUANTUM DOTS SURFACE-MORPHOLOGY LOW-THRESHOLD INP INP(001) LUMINESCENCE ORGANIZATION ISLANDS LAYER
	Defects and morphologies in In0.8Ga0.2As/InAlAs/InP(001) for high electron-mobility transistors 期刊论文 defects and diffusion in semiconductors, 2000, 卷号: 183-1, 期号: 0, 页码: 147-152 Wu J; Lin F 收藏 \| 浏览/下载：54/0 \| 提交时间：2010/08/12 In0.8Ga0.2As/InAlAs/InP misfit dislocations surface morphology GROWTH RELAXATION SUBSTRATE CIRCUITS
	偏振差分反射谱(RDS)测试系统期刊论文功能材料与器件学报, 2000, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 388 作者: 陈涌海收藏 \| 浏览/下载：23/0 \| 提交时间：2010/11/23
	High phosphorous doping and morphological evolution during Si growth by gas source molecular beam epitaxy (GSMBE) 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 613-616 Liu JP; Huang DD; Li JP; Sun DZ; Kong MY 收藏 \| 浏览/下载：28/0 \| 提交时间：2010/08/12 Si low-temperature epitaxy P doping surface morphology morphological evolution DEPOSITION
	Low-temperature growth properties of Si1-xGex by disilane and solid-Ge molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 535-540 Liu JP; Kong MY; Li JP; Liu XF; Huang DD; Sun DZ 收藏 \| 浏览/下载：33/0 \| 提交时间：2010/08/12 Si1-xGex alloys low temperature epitaxy desorption adsorption surface morphology growth kinetics HYDROGEN DESORPTION SI(100) SI SURFACTANT GERMANIUM MECHANISM KINETICS ALLOYS SI2H6 GAS-SOURCE MBE

相关链接
欧盟学术资源开放存取平台
CALIS高校机构知识库
台湾学术机构典藏
香港机构知识库整合系统
中国科学院机构知识库网格系统

CORC
关于我们
服务条款
隐私条款

联系我们
0931-8270076
cspace@llas.ac.cn
China-OR

中文简体

©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace