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Determination of the transport properties in 4H-SiC wafers by Raman scattering measurement 期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: article no.33301
作者:  Liu XF;  Yan GG;  Zheng L;  Dong L
收藏  |  浏览/下载：39/3  |  提交时间：2011/07/05
Growth and characterization of semi-insulating GaN films grown by MOCVD 期刊论文
journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 期号: sp.iss.si, 页码: 14-18
Fang CB; Wang XL; Hu GX; Wang JX; Wang CM; Li JM
收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/04/11
Laterally confined modes in wet-etched, metal-coated, quantum-dot-inserted pillar microcavities 期刊论文
chinese physics letters, 2004, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 493-496
作者:  Tan PH
收藏  |  浏览/下载：135/24  |  提交时间：2010/03/09
Study on variable capacitance diode of (p)nc-Si : H/(n)c-Si heterojunction 期刊论文
vacuum, 2003, 卷号: 71, 期号: 4, 页码: 465-469
Wei WS; Wang TM; Zhang CX; Li GH; Li YX
收藏  |  浏览/下载：435/4  |  提交时间：2010/08/12
Wafer bonding technique used for the integration of cubic GaN/GaAs (001) with Si substrate 期刊论文
science in china series e-technological sciences, 2002, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: 255-260
作者:  Zhang SM;  Zhao DG
收藏  |  浏览/下载：88/5  |  提交时间：2010/08/12
X-ray double-crystal characterization of the strain relaxation in GaAs/GaNxAs1-x/GaAs(001) sandwiched structures 期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 217, 期号: 1-2, 页码: 26-32
Pan Z; Wang YT; Li LH; Zhang W; Lin YW; Zhou ZQ; Wu RH
收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/08/12
Pulsed excimer laser annealing of Mg-doped cubic GaN 期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 209, 期号: 1, 页码: 203-207
作者:  Zhao DG
收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/08/12
Structural characterization of InGaAs/GaAs quantum dots superlattice infrared photodetector structures 期刊论文
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 375-381
Zhuang QD; Li JM; Zeng YP; Pan L; Li HX; Kong MY; Lin LY
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/08/12

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