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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2006 [1]
2000 [1]
1998 [1]
学科主题
半导体材料 [3]
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学科主题:半导体材料
内容类型:期刊论文
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Characteristic of rapid thermal annealing on GaIn(N)(Sb)As/GaAs quantum well grown by molecular-beam epitaxy
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 3, 页码: art.no.034903
作者:
Xu YQ
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浏览/下载:121/0
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提交时间:2010/04/11
IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY
OPTICAL-PROPERTIES
LASERS
NITROGEN
ORIGIN
Two-dimensional ordering of self-assembled InAs quantum dots grown on (311)B InP substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 219, 期号: 1-2, 页码: 17-21
作者:
Ye XL
;
Xu B
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/08/12
quantum dots
molecular beam epitaxy
high index
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
STRAINED ISLANDS
GAAS
ORGANIZATION
INP(001)
LASERS
INGAAS
LAYER
Analysis of atomic force microscopic results of InAs islands formed by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 192, 期号: 3-4, 页码: 376-380
作者:
Xu B
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/08/12
nanometer island
InAs
molecular beam epitaxy
atomic force microscopy
quantum dot
GAAS
LASERS
GROWTH
ASSEMBLED QUANTUM DOTS
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