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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
会议论文 [7]
发表日期
2010 [1]
2007 [1]
2006 [1]
2004 [1]
2001 [1]
2000 [2]
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学科主题
半导体材料 [7]
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学科主题:半导体材料
内容类型:会议论文
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Donor defect in P-diffused bulk ZnO single crystal
会议论文
29th international conference on physics of semiconductors, rio de janeiro, brazil, 2009
Zhao YW (Zhao Youwen)
;
Zhang R (Zhang Rui)
;
Zhang F (Zhang Fan)
;
Dong ZY (Dong Zhiyuan)
;
Yang J (Yang Jun)
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浏览/下载:463/158
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提交时间:2010/10/11
Zinc Oxide
doping
defect
Zinc phthalocyanine (ZnPc) incorporated into silicon matrix grown by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD)
会议论文
solar world congress of the international-solar-energy-society, beijing, peoples r china, sep 18-21, 2007
Zhang, CS
;
Wang, ZG
;
Shi, MJ
;
Peng, WB
;
Diao, HW
;
Liao, XB
;
Long, GL
;
Zeng, XB
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/03/09
PHOTOVOLTAIC APPLICATIONS
CELLS
Growth of ZnO single crystal by chemical vapor transport method
会议论文
3rd asian conference on crystal growth and crystal technology (cgct-3), beijing, peoples r china, oct 16-19, 2005
Zhou, JM
;
Dong, ZY
;
Wei, XC
;
Duan, ML
;
Li, JM
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浏览/下载:564/45
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提交时间:2010/03/29
zinc oxide
Hetero-epitaxial growth of ZnO films on silicon by low-pressure metal organic chemical vapor deposition
会议论文
7th international conference on solid-state and integrated circuits technology, beijing, peoples r china, oct 18-21, 2004
Wang, QY
;
Shen, WJ
;
Wang, J
;
Wang, JH
;
Zeng, YP
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:195/31
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提交时间:2010/03/29
ULTRAVIOLET-LASER EMISSION
THIN-FILMS
ZINC-OXIDE
ROOM-TEMPERATURE
Determination of the interdiffusion coefficients of liquid Zn and Sn using Ta/Zn-Sn/Si trilayers
会议论文
5th international conference on diffusion in materials, paris, france, jul 17-21, 2000
Wang WK
;
Zhao JH
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2010/11/15
convection-less condition
liquid metal diffusion
solid/liquid-liquid/solid trilayer
Energy band and acceptor binding energy of GaN and AlxGa1-xN
会议论文
iumrs international conference of advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999
Xia JB
;
Cheah KW
;
Wang XL
;
Sun DZ
;
Kong MY
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/15
acceptor binding energy
hole effective-mass Hamiltonian
wurtzite GaN
MOCVD growth of cubic GaN: Materials and devices
会议论文
international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000
作者:
Zhao DG
;
Zhang SM
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/10/29
MOCVD
GaN
InGaN
cubic
LED
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GALLIUM NITRIDE
PHASE EPITAXY
INGAN FILMS
ELECTROLUMINESCENCE
ZINCBLENDE
WURTZITE
MBE
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