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科研机构
半导体研究所 [6]
内容类型
会议论文 [6]
发表日期
2008 [2]
2006 [1]
2004 [1]
2001 [1]
1999 [1]
学科主题
半导体材料 [6]
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学科主题:半导体材料
内容类型:会议论文
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AlGaN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs structure with an AlN interlayer grown by MOCVD
会议论文
34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007
Tang, J
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Ran, JX
;
Wang, CM
;
Wang, XY
;
Hu, GX
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/03/09
PERFORMANCE
HETEROSTRUCTURES
OPTIMIZATION
MOBILITY
AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs with improved mobility grown by MOCVD
会议论文
9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008
作者:
Hou QF
;
Zhang ML
收藏
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/03/09
ALGAN/GAN HEMTS
Heterojunction solar cells with n-type nanocrystalline silicon emitters on p-type c-Si wafers
会议论文
21st international conference on amorphous and nanocrystalline semiconductors, lisbon, portugal, sep 04-09, 2005
Xu Y (Xu Ying)
;
Hu ZH (Hu Zhihua)
;
Diao HW (Diao Hongwei)
;
Cai Y (Cai Yi)
;
Zhang SB (Zhang Shibin)
;
Zeng XB (Zeng Xiangbo)
;
Hao HY (Hao Huiying)
;
Liao XB (Liao Xianbo)
;
Fortunato E (Fortunato Elvira)
;
Martins R (Martins Rodrigo)
收藏
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浏览/下载:236/57
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提交时间:2010/03/29
silicon
Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures
会议论文
international conference on materials for advanced technologies, singapore, singapore, dec 07-12, 2003
作者:
Han PD
收藏
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浏览/下载:83/1
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提交时间:2010/10/29
metalorganic chemical vapor deposition
semiconducting III-V materials
DOPED AL(X)GA1-XN/GAN HETEROSTRUCTURES
CARRIER CONFINEMENT
EFFECT TRANSISTORS
PHOTOLUMINESCENCE
MOBILITY
HETEROJUNCTION
INTERFACE
HFETS
High-quality metamorphic HEMT grown on GaAs substrates by MBE
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
Zeng YP
;
Cao X
;
Cui LJ
;
Kong MY
;
Pan L
;
Wang BQ
;
Zhu ZP
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/11/15
molecular beam epitaxy
high electron mobility transistors
DENSITY
Influence of crystal perfection on the reverse leakage current of the SiGe Si p-n heterojunction diodes
会议论文
10th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-x), cannes, france, aug 31-sep 04, 1998
Liu XF
;
Liu JP
;
Li JP
;
Wang YT
;
Li LY
;
Sun DZ
;
Kong MY
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2010/11/15
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