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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of GaAS(100) 2 degrees surface misorientation on the formation and optical properties of MOCVD grown InAs quantum dots 期刊论文 applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 23, 页码: 8126-8130 Liang S (Liang S.); Zhu HL (Zhu H. L.); Ye XL (Ye X. L.); Wang W (Wang W.) 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/04/11 photoluminescence  quantum dots  indium arsenide  1.3 MU-M  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE-EPITAXY  GAAS  LUMINESCENCE  SUBSTRATE  ISLANDS  DENSITY  LASERS  LAYER   Temperature-dependent bimodal size evolution of InAs quantum dots on vicinal GaAs(100) substrates 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 10, 页码: art.no.103503 Liang S (Liang S.); Zhu HL (Zhu H. L.); Wang W (Wang W.) 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/04/11 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  OPTICAL-PROPERTIES  PHASE-EPITAXY  MU-M  GAAS  SURFACE  GROWTH  MISORIENTATION  FABRICATION  UNIFORMITY