QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effective recombination velocity of textured surfaces 期刊论文 applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 19, 页码: art. no. 193107 Xiong KL (Xiong Kanglin); Lu SL (Lu Shulong); Jiang DS (Jiang Desheng); Dong JR (Dong Jianrong); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：119/3  |  提交时间：2010/06/04 carrier lifetime  numerical analysis  semiconductor thin films  surface recombination  surface texture   Investigation on the structural origin of n-type conductivity in InN films 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 13, 页码: art. no. 135403 Wang, H; Jiang, DS; Wang, LL; Sun, X; Liu, WB; Zhao, DG; Zhu, JJ; Liu, ZS; Wang, YT; Zhang, SM; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：53/1  |  提交时间：2010/03/08 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAN FILMS  DISLOCATION SCATTERING  LAYER THICKNESS  INDIUM NITRIDE  BAND-GAP  VACANCIES   Enhanced performance of p-GaN by Mg delta doping 期刊论文 journal of crystal growth, 2007, 卷号: 304, 期号: 1, 页码: 7-10 Wang HB (Wang Huaibing); Liu JP (Liu Jianping); Niu NH (Niu Nanhui); Shen GD (Shen Guangdi); Zhang SM (Zhang Shuming) 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/03/29 delta doping   PHOTOLUMINESCENCE SPECTRUM STUDY OF THE GAAS/SI EPILAYER GROWN BY USING A THIN AMORPHOUS SI FILM AS BUFFER LAYER 期刊论文 japanese journal of applied physics part 2-letters, 1995, 卷号: 34, 期号: 7b, 页码: l900-l902 HAO MS; LIANG JW; ZHENG LX; DENG LS; XIAO ZB; HU XW 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/17 GAAS/SI  PHOTOLUMINESCENCE  AMORPHOUS SI  SIMS  HALL MEASUREMENT  DOUBLE CRYSTAL X-RAY  CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ON-SI  MOCVD  TEMPERATURE  MECHANISM