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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [6]
会议论文 [1]
发表日期
2009 [2]
2008 [1]
2006 [2]
2005 [1]
2004 [1]
学科主题
光电子学 [7]
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学科主题:光电子学
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Ground state energy of He isoelectronic sequence treated variationally via Hylleraas-like wavefunction
期刊论文
chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 2238-2243
Guo Jian-Chuan
;
Zuo Yu-Hua
;
Zhang Yun
;
Ding Wu-Chang
;
Cheng Bu-Wen
;
Yu Jin-Zhong
;
Wang Qi-Ming
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/23
Suppression of indium droplet formation by adding CCl4 during metalorganic chemical vapor deposition growth of InN films
期刊论文
semiconductor science and technology, 2009, 卷号: 24, 期号: 7, 页码: art. no. 075004
作者:
Wang H
;
Yang H
;
Yang H
;
Zhao DG
;
Wang YT
收藏
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浏览/下载:47/1
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提交时间:2010/03/08
ELECTRON-TRANSPORT
PHASE EPITAXY
NITRIDE INN
BAND-GAP
AlGaN layers grown on AlGaN buffer layer and GaN buffer layer using strain-relief interlayers - art. no. 68410S
会议论文
conference on solid state lighting and solar energy technologies, beijing, peoples r china, nov 12-14, 2007
Liu, NX
;
Yan, JC
;
Liu, Z
;
Ma, P
;
Wang, JX
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/03/09
AlGaN
HT-AlGaN buffer
HT-interlayers
ultraviolet (UV) LED
Dislocation Reduction in GaN on Sapphire by Epitaxial Lateral Overgrowth
期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 419-424
作者:
Wang Hui
;
Zhang Shuming
;
Zhu Jianjun
;
Zhao Degang
;
Wang Hui
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/23
Evolution of mosaic structure in InN grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 293, 期号: 2, 页码: 269-272
Huang Y (Huang Y.)
;
Wang H (Wang H.)
;
Sun Q (Sun Q.)
;
Chen J (Chen J.)
;
Li DY (Li D. Y.)
;
Zhang JC (Zhang J. C.)
;
Wang JF (Wang J. F.)
;
Wang YT (Wang Y. T.)
;
Yang H (Yang H.)
收藏
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/04/11
growth mode
X-ray diffraction
metalorganic chemical vapor deposition
indium nitride
X-RAY-DIFFRACTION
THREADING DISLOCATIONS
ELECTRON-TRANSPORT
BUFFER LAYER
THIN-FILMS
GAN FILMS
SAPPHIRE
ALN
Lateral phase separation in AlGaN grown on GaN with a high-temperature AIN interlayer
期刊论文
applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 12, 页码: art.no.121914
作者:
Yang H
;
Yang H
;
Wang H
;
Jiang DS
;
Zhang SM
收藏
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浏览/下载:108/19
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提交时间:2010/03/17
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
Surface morphology of AlN buffer layer and its effect on GaN growth by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
applied physics letters, 2004, 卷号: 85, 期号: 9, 页码: 1499-1501
Zhao, DG
;
Zhu, JJ
;
Liu, ZS
;
Zhang, SM
;
Yang, H
;
Jiang, DS
收藏
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浏览/下载:259/63
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提交时间:2010/03/09
SAPPHIRE SUBSTRATE
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