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半导体研究所 [61]
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学科主题
光电子学 [61]
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学科主题:光电子学
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Insight into the effect of ligand-exchange on colloidal CsPbBr3 perovskite quantum dot/mesoporous-TiO2 composite-based photodetectors: much faster electron injection
期刊论文
Journal of Materials Chemistry C, 2017, 卷号: 5, 页码: 6224--6233
作者:
Lin Zhou
;
Kai Yu
;
Fan Yang
;
Hui Cong
;
Nan Wang
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2018/07/09
All-inorganic perovskite quantum dot/mesoporous TiO2 composite-based photodetectors with enhanced performance
期刊论文
Dalton Transactions, 2017, 卷号: 46, 页码: 1766–1769
作者:
Lin Zhou
;
Kai Yu
;
Fan Yang
;
Jun Zheng
;
Yuhua Zuo
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2018/07/09
A quantum dot asymmetric self-gated nanowire FET for high sensitive detection
期刊论文
aip advances, 2015, 卷号: 5, 期号: 1, 页码: 017108
Zhangchun Shi
;
Xiaohong Yang
;
Chenglei Nie
;
Weihong Yin
;
Qin Han
;
Haiqiao Ni
;
Zhichuan Niu
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2016/03/22
Measurement of Linewidth Enhancement Factor for 1.3-μm InAs/GaAs Quantum Dot Lasers
期刊论文
IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2013, 卷号: 25, 期号: 5, 页码: 488
Jin-Long Xiao, Chu-Cai Guo, Hai-Ming Ji, Peng-Fei Xu, Qi-Feng Yao, Xiao-Meng Lv, Ling-Xiu Zou,Heng Long, Tao Yang, and Yong-Zhen Huang
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2014/04/08
Graded index profiles and loss-induced single-mode characteristics in vertical-cavity surface-emitting lasers with petal-shape holey structure
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 2, 页码: article no.24204
作者:
Jiang B
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浏览/下载:65/7
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提交时间:2011/07/06
vertical-cavity surface-emitting lasers
single mode
low divergence angle
graded index profile
OPTICAL INTERCONNECTS
QUANTUM-DOT
WAVE-GUIDE
VCSELS
POWER
FIELD
OPERATION
OXIDATION
DESIGN
FIBERS
Very long wavelength quantum dot infrared photodetector using a modified dots-in-a-well structure with AlGaAs insertion layers
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 10, 页码: article no.103507
作者:
Wei Y
;
Huo YH
;
Zhang YH
;
Huang JL
;
Ma WQ
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浏览/下载:66/4
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提交时间:2011/07/06
MU-M
DETECTOR
TEMPERATURE
GROWTH
Forward bias voltage controlled infrared photodetection and electroluminescence from a p-i-n quantum dot structure
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 2, 页码: 23502
Cui K
;
Ma WQ
;
Zhang YH
;
Huang JL
;
Wei Y
;
Cao YL
;
Jin Z
;
Bian LF
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/02/06
DETECTOR
Two-color In0.4Ga0.6As/Al0.1Ga0.9As quantum dot infrared photodetector with double tunneling barriers
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 10, 页码: article no.103501
作者:
Cui K
;
Wei Y
;
Huo YH
;
Zhang YH
收藏
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浏览/下载:52/2
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提交时间:2011/07/06
Electronic band structure of a type-II 'W' quantum well calculated by an eight-band k center dot p model
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: article no.30507
Yu X
;
Gu YX
;
Wang Q
;
Wei X
;
Chen LH
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浏览/下载:65/4
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提交时间:2011/07/06
type-II 'W' quantum well
Burt-Foreman Hamiltonian
finite element methods
LASERS
ALLOYS
Optically controlled quantum dot gated transistors with high on/off ratio
期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 8, 页码: art. no. 083503
Yang XH (Yang Xiaohong)
;
Xu XL (Xu Xiulai)
;
Wang XP (Wang Xiuping)
;
Ni HQ (Ni Haiqiao)
;
Han Q (Han Qin)
;
Niu ZC (Niu Zhichuan)
;
Williams DA (Williams David A.)
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浏览/下载:68/2
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提交时间:2010/04/22
III-V semiconductors
indium compounds
laser beam applications
nanoelectronics
photoelectric devices
photoelectricity
phototransistors
semiconductor quantum dots
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