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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Epitaxial growth and thermal stability of Ge1-xSnx alloys on Ge-buffered Si(001) substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 317, 期号: 1, 页码: 43-46 Su SJ; Wang W; Cheng BW; Zhang GZ; Hu WX; Xue CL; Zuo YH; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：71/4  |  提交时间：2011/07/05 Thermal stability  Molecular beam epitaxy  Germanium tin alloys  Germanium  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  LOW-TEMPERATURE  SEMICONDUCTORS  GE(001)2X1   Fiber Bragg grating pressure sensor with ultrahigh sensitivity and reduced temperature sensitivity 期刊论文 optical engineering, 2009, 卷号: 48, 期号: 2, 页码: art. no. 024402 作者:  Zhang WT 收藏  |  浏览/下载：226/92  |  提交时间：2010/03/08 pressure sensor  fiber Bragg grating  diaphragm   Effects of rapid thermal annealing on the emission properties of highly uniform self-assembled InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 mu m 期刊论文 applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 11, 页码: art.no.111912 Yang T (Yang, Tao); Tatebayashi J (Tatebayashi, Jun); Aoki K (Aoki, Kanna); Nishioka M (Nishioka, Masao); Arakawa Y (Arakawa, Yasuhiko) 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/03/29 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION   Effect of SiO2 encapsulation on the nitrogen reorganization in a GaNAs/GaAs single quantum well 期刊论文 chinese physics letters, 2004, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 521-523 作者:  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：65/21  |  提交时间：2010/03/09 MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Influences of initial buffer layer deposition on electrical and optical properties in cubic GaN grown on GaAs(100) by metalorganic chemical vapor deposition 会议论文 1st asian conference on chemical vapour deposition, shanghai, peoples r china, may 10-13, 1999 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/11/15 cubic GaN  buffer layer  atomic force microscopy  reflection high-energy electron diffraction  MOVPE