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科研机构
半导体研究所 [8]
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会议论文 [1]
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2007 [1]
2006 [3]
2001 [1]
2000 [1]
1998 [1]
1989 [1]
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学科主题
光电子学 [8]
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学科主题:光电子学
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Defects around self-organized InAs quantum dots measured by slow positron beam
期刊论文
applied physics letters, 2007, 卷号: 91, 期号: 9, 页码: art.no.093510
作者:
Jin P
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2010/03/29
HIGH-POWER
Influence of cracks generation on the structural and optical properties of GaN/Al0.55Ga0.45N multiple quantum wells
期刊论文
applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 8, 页码: 3043-3050
作者:
Zhang SM
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浏览/下载:83/0
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提交时间:2010/04/11
nitrides
multiple quantum wells
cracks
dislocations
vacancies x-ray diffraction
X-RAY-DIFFRACTION
EDGE DISLOCATIONS
GAN
FILMS
SUPERLATTICES
RELAXATION
STRAIN
Strain evolution in GaN layers grown on high-temperature AlN interlayers
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 15, 页码: art.no.152105
Wang JF (Wang J. F.)
;
Yao DZ (Yao D. Z.)
;
Chen J (Chen J.)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Yang H (Yang H.)
;
Liang JW (Liang J. W.)
收藏
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/04/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
STRESS EVOLUTION
DEFECT STRUCTURE
EPITAXIAL GAN
THIN-FILMS
ALGAN
DISLOCATIONS
RELAXATION
REDUCTION
Probing deep level centers in GaN epilayers with variable-frequency capacitance-voltage characteristics of Au/GaN Schottky contacts
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 14, 页码: art.no.143505
Wang RX (Wang R. X.)
;
Xu SJ (Xu S. J.)
;
Shi SL (Shi S. L.)
;
Beling CD (Beling C. D.)
;
Fung S (Fung S.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Yang H (Yang H.)
;
Tao XM (Tao X. M.)
收藏
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/04/11
DISLOCATIONS
DEGRADATION
Quality improvement of GaInNAs/GaAs quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
Li LH
;
Pan Z
;
Zhang W
;
Lin YW
;
Wang XY
;
Wu RH
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/15
characterization
defects
X-ray diffraction
molecular beam epitaxy
nitrides
GAAS
Study of self-assembled InAs quantum dots grown on low temperature GaAs epi-layer
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 2000, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 177-180
Wang XD
;
Wang H
;
Wang HL
;
Niu ZC
;
Feng SL
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2010/08/12
InAs quantum dots
low temperature GaAs
As precipitates
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
DEPENDENCE
New method for the growth of highly uniform quantum dots
期刊论文
microelectronic engineering, 1998, 卷号: 43-44, 期号: 0, 页码: 79-83
Pan D
;
Zeng YP
;
Kong MY
收藏
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/08/12
self-formed quantum dot
Stranski-Krastanow growth mode
superlattice
INGAAS
GAAS
DISLOCATIONS
MULTILAYERS
DEFECTS
STRAIN
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INDUCED DEFECTS IN GAAS ETCHED BY LOW-ENERGY IONS IN ELECTRON-BEAM EXCITED PLASMA (EBEP) SYSTEM
期刊论文
japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 1989, 卷号: 28, 期号: 11, 页码: 2391-2395
YU JZ
;
MASUI N
;
YUBA Y
;
HARA T
;
HAMAGAKI M
;
AOYAGI Y
;
GAMO K
;
NAMBA S
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浏览/下载:169/43
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提交时间:2010/11/15
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