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半导体研究所 [101]
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光电子学 [101]
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学科主题:光电子学
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High-reflectivity AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown on sapphire substrates by MOCVD
期刊论文
semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: article no.55013
Wu CM
;
Zhang BP
;
Shang JZ
;
Cai LE
;
Zhang JY
;
Yu JZ
;
Wang QM
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浏览/下载:64/3
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提交时间:2011/07/05
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PHASE EPITAXY
MIRRORS
GAN
WAVELENGTHS
Strained and strain-relaxed epitaxial Ge1-xSnx alloys on Si(100) substrates
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: art. no. 068103
作者:
Su SJ
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浏览/下载:93/5
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提交时间:2011/07/07
GeSn alloys
strained
strain-relaxed
molecular beam epitaxy
Relationship between the growth rate and Al incorporation of AlGaN by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of alloys and compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 3, 页码: 748-750
作者:
Yang H
;
Jiang DS
;
Le LC
;
Zhang SM
;
Wu LL
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浏览/下载:46/3
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提交时间:2011/07/05
Nitride materials
Crystal growth
Composition fluctuations
X-ray diffraction
LAYER
Efficient 1.53 mu m emission and energy transfer in Si/Er-Si-O multilayer structure
期刊论文
materials research bulletin, 2011, 卷号: 46, 期号: 2, 页码: 262-265
作者:
Xue CL
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浏览/下载:63/4
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提交时间:2011/07/05
Multilayers
Inorganic compounds
Sputtering
Optical properties
DOPED SI/SIO2 SUPERLATTICES
ERBIUM SILICATE
ER3+
LUMINESCENCE
FILMS
PHOTOLUMINESCENCE
Strained and strain-relaxed epitaxial Ge(1-x)Sn(x) alloys on Si(100) substrates
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 68103
Wang, W
;
Su, SJ
;
Zheng, J
;
Zhang, GZ
;
Zuo, YH
;
Cheng, BW
;
Wang, QM
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2012/02/06
GeSn alloys
strained
strain-relaxed
molecular beam epitaxy
Epitaxial growth and thermal stability of Ge1-xSnx alloys on Ge-buffered Si(001) substrates
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 317, 期号: 1, 页码: 43-46
Su SJ
;
Wang W
;
Cheng BW
;
Zhang GZ
;
Hu WX
;
Xue CL
;
Zuo YH
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:71/4
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提交时间:2011/07/05
Thermal stability
Molecular beam epitaxy
Germanium tin alloys
Germanium
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
LOW-TEMPERATURE
SEMICONDUCTORS
GE(001)2X1
The contributions of composition and strain to the phonon shift in Ge1-xSnx alloys
期刊论文
solid state communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 8, 页码: 647-650
Su SJ
;
Wang W
;
Cheng BW
;
Hu WX
;
Zhang GZ
;
Xue CL
;
Zuo YH
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:64/3
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提交时间:2011/07/05
Semiconductors
Raman scattering
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
RAMAN FREQUENCIES
SEMICONDUCTORS
GE(001)2X1
SILICON
SCATTERING
GROWTH
A practical route towards fabricating GaN nanowire arrays
期刊论文
crystengcomm, 2011, 卷号: 13, 期号: 19, 页码: 5929-5935
Liu, JQ
;
Huang, J
;
Gong, XJ
;
Wang, JF
;
Xu, K
;
Qiu, YX
;
Cai, DM
;
Zhou, TF
;
Ren, GQ
;
Yang, H
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2012/02/06
LIGHT-EMITTING-DIODES
EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
WELL NANOROD ARRAYS
ULTRAVIOLET-LIGHT
GROWTH
NANOGENERATORS
DISLOCATIONS
BRIGHTNESS
LAYERS
Epitaxial growth of Ge0.975Sn0.025 alloy films on Si(001) substrates by molecular beam epitaxy
期刊论文
acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: article no.28101
Su SJ
;
Wang W
;
Zhang GZ
;
Hu WX
;
Bai AQ
;
Xue CL
;
Zuo YH
;
Cheng BW
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:55/3
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提交时间:2011/07/05
GeSn
Ge
molecular beam epitaxy
epitaxial growth
SEMICONDUCTORS
GE(001)2X1
Metamorphic InGaAs p-i-n Photodetectors with 1.75 mu m Cut-Off Wavelength Grown on GaAs
期刊论文
chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: art. no. 038504
Zhu B (Zhu Bin)
;
Han Q (Han Qin)
;
Yang XH (Yang Xiao-Hong)
;
Ni HQ (Ni Hai-Qiao)
;
He JF (He Ji-Fang)
;
Niu ZC (Niu Zhi-Chuan)
;
Wang X (Wang Xin)
;
Wang XP (Wang Xiu-Ping)
;
Wang J (Wang Jie)
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浏览/下载:124/5
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提交时间:2010/04/22
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
BUFFER LAYERS
DARK CURRENT
PHOTODIODES
LASERS
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