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半导体研究所 [13]

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光电子学 [13]

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学科主题：光电子学

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	Influence of residual carbon impurities in a heavily Mg-doped GaN contact layer on an Ohmic contact 期刊论文 Applied Optics, 2017, 卷号: 56, 期号: 14, 页码: 4197-4200 作者: Feng Liang; Degang Zhao; Desheng Jiang; Zongshun Liu; Jianjun Zhu 收藏 \| 浏览/下载：17/0 \| 提交时间：2018/07/11
	XPS study of impurities in Si-doped AlN film 期刊论文 surface and interface analysis, 2016, 卷号: 48, 期号: 12, 页码: 1305–1309 F. Liang; P. Chen; D. G. Zhao; D. S. Jiang; Z. J. Zhao; Z. S. Liu; J. J. Zhu; J. Yang; L. C. Le; W. Liu; X.G. He; X. J. Li; X Li; S. T Liu; H. Yang; J. P. Liu; L. Q. Zhang; Y. T. Zhang; G. T. Du 收藏 \| 浏览/下载：29/0 \| 提交时间：2017/03/10
	Influence of residual carbon impurities in i-GaN layer on the performance of GaN-based p-i-n photodetectors 期刊论文 journal of vacuum science & technology b, 2016, 卷号: 34, 期号: 1, 页码: 011204 Xiaojing Li; Degang Zhao; Desheng Jiang; Ping Chen; Jianjun Zhu; Zongshun Liu; Lingcong Le; Jing Yang; Xiaoguang He; Liqun Zhang; Shuming Zhang; Jianping Liu; Hui Yang 收藏 \| 浏览/下载：18/0 \| 提交时间：2017/03/10
	Emission efficiency enhanced by reducing the concentration of residual carbon impurities in InGaN/GaN multiple quantum well light emitting diodes 期刊论文 optics express, 2016, 卷号: 24, 期号: 13, 页码: 13824-13831 J. Yang; D. G. Zhao; D. S. Jiang; P. Chen; Z. S. Liu; J. J. Zhu; X. J. Li; X. G. He; J. P. Liu; L. Q. Zhang; H. Yang; Y. T. Zhang; G. T. Du 收藏 \| 浏览/下载：15/0 \| 提交时间：2017/03/10
	Influence of hydrogen impurities on p-type resistivity in Mg-doped GaN films 期刊论文 journal of vacuum science & technology a, 2015, 卷号: 33, 期号: 2, 页码: 021505 Jing Yang; Degang Zhao; Desheng Jiang; Ping Chen; Jianjun Zhu; Zongshun Liu; Lingcong Le; Xiaoguang He; Xiaojing Li 收藏 \| 浏览/下载：22/0 \| 提交时间：2016/03/23
	Investigation on the compensation effect of residual carbon impurities in low temperature grown Mg doped GaN films 期刊论文 journal of applied physics, 2014, 卷号: 115, 期号: 16, 页码: 163704 Yang, J; Zhao, DG; Jiang, DS; Zhu, JJ; Yang, H; Chen, P; Liu, ZS; Le, LC; Li, XJ; He, XG; Liu, JP; Zhang, SM; Wang, H 收藏 \| 浏览/下载：25/0 \| 提交时间：2015/04/02
	Investigation on the structural origin of n-type conductivity in InN films 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 13, 页码: art. no. 135403 Wang, H; Jiang, DS; Wang, LL; Sun, X; Liu, WB; Zhao, DG; Zhu, JJ; Liu, ZS; Wang, YT; Zhang, SM; Yang, H 收藏 \| 浏览/下载：53/1 \| 提交时间：2010/03/08 MOLECULAR-BEAM EPITAXY GAN FILMS DISLOCATION SCATTERING LAYER THICKNESS INDIUM NITRIDE BAND-GAP VACANCIES
	Photoluminescence degradation in GaN induced by light enhanced surface oxidation 期刊论文 journal of applied physics, 2007, 卷号: 102, 期号: 7, 页码: art.no.076112 Liu WB (Liu Wenbao); Sun X (Sun Xian); Zhang S (Zhang Shuang); Chen J (Chen Jun); Wang H (Wang Hui); Wang XL (Wang Xiaolan); Zhao DG (Zhao Degang); Yang H (Yang Hui) 收藏 \| 浏览/下载：45/0 \| 提交时间：2010/03/29 GAAS-SURFACES
	Role of edge dislocations in enhancing the yellow luminescence of n-type GaN 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 24, 页码: art.no.241917 作者: Jiang DS; Zhu JJ; Li XY; Zhang SM; Zhao DG 收藏 \| 浏览/下载：47/0 \| 提交时间：2010/04/11 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION MOLECULAR-BEAM EPITAXY X-RAY-DIFFRACTION MG-DOPED GAN UNDOPED GAN PHOTOLUMINESCENCE BANDS THREADING DISLOCATIONS POSITRON-ANNIHILATION GROWTH STOICHIOMETRY GALLIUM NITRIDE
	Phonon-induced Raman scattering in GaNAs 期刊论文 journal of infrared and millimeter waves, 2001, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 11-14 作者: Tan PH; Jiang DS 收藏 \| 浏览/下载：87/6 \| 提交时间：2010/08/12 GaNAs Raman scattering local vibrational mode GAAS1-XNX ALLOYS GAASN

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