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科研机构
半导体研究所 [23]
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期刊论文 [18]
会议论文 [5]
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2010 [1]
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2007 [2]
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学科主题
光电子学 [23]
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学科主题:光电子学
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Shockley–Read–Hall recombination and efficiency droop in InGaN/GaN multiple-quantum-well green light-emitting diodes
期刊论文
Journal of Physics D: Applied Physics, 2016, 卷号: 49, 期号: 14, 页码: 145104
Wei Liu
;
Degang Zhao
;
Desheng Jiang
;
Ping Chen
;
Zongshun Liu
;
Jianjun Zhu
;
Xiang Li
;
Feng Liang
;
Jianping Liu
;
Liqun Zhang
;
Hui Yang
;
Yuantao Zhang
;
Guotong Du
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2017/03/10
Analysis of Modified Williamson-Hall Plots on GaN Layers
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: article no.16101
Liu JQ
;
Qiu YX
;
Wang JF
;
Xu K
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:38/3
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提交时间:2011/07/05
X-RAY-DIFFRACTION
THIN-FILMS
GROWTH
Multifunctional silicon-based light emitting device in standard complementary metal-oxide-semiconductor technology
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: article no.18503
作者:
Dong Z
;
Huang BJ
收藏
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浏览/下载:50/2
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提交时间:2011/07/05
optoelectronic integrated circuit
complementary metal-oxide-semiconductor technology
silicon-based light emitting device
electroluminescence
AVALANCHE BREAKDOWN
PHOTON-EMISSION
CURRENT-DENSITY
DIODES
MODEL
ELECTROLUMINESCENCE
SUPERLATTICES
EFFICIENCY
JUNCTIONS
LEDS
Effective recombination velocity of textured surfaces
期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 19, 页码: art. no. 193107
Xiong KL (Xiong Kanglin)
;
Lu SL (Lu Shulong)
;
Jiang DS (Jiang Desheng)
;
Dong JR (Dong Jianrong)
;
Yang H (Yang Hui)
收藏
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浏览/下载:119/3
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提交时间:2010/06/04
carrier lifetime
numerical analysis
semiconductor thin films
surface recombination
surface texture
Thickness dependent dislocation, electrical and optical properties in InN films grown by MOCVD
期刊论文
acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420
作者:
Li Y
;
Chen P
;
Jiang DS
;
Wang H
;
Wang ZG
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浏览/下载:49/4
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提交时间:2010/03/08
InN
dislocation
carrier origination
localization
Determination of the tilt and twist angles of curved GaN layers by high-resolution x-ray diffraction
期刊论文
semiconductor science and technology, 2009, 卷号: 24, 期号: 12, 页码: art.no.125007
Liu, JQ (Liu, J. Q.)
;
Wang, JF (Wang, J. F.)
;
Qiu, YX (Qiu, Y. X.)
;
Guo, X (Guo, X.)
;
Huang, K (Huang, K.)
;
Zhang, YM (Zhang, Y. M.)
;
Hu, XJ (Hu, X. J.)
;
Xu, Y (Xu, Y.)
;
Xu, K (Xu, K.)
;
Huang, XH (Huang, X. H.)
;
Yang, H (Yang, H.)
收藏
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浏览/下载:244/114
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提交时间:2010/03/08
THIN-FILMS
High-temperature AlN interlayer for crack-free AlGaN growth on GaN
期刊论文
journal of applied physics, 2008, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: art. no. 043516
Sun, Q
;
Wang, JT
;
Wang, H
;
Jin, RQ
;
Jiang, DS
;
Zhu, JJ
;
Zhao, DG
;
Yang, H
;
Zhou, SQ
;
Wu, MF
;
Smeets, D
;
Vantomme, A
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浏览/下载:73/0
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提交时间:2010/03/08
STRESS
SI(111)
REDUCTION
THICKNESS
Optical and Electrical Properties of GaN.Mg Grown by MOCVD
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 1, 页码: 29-32
作者:
Zhang Shuming
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浏览/下载:138/36
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提交时间:2010/11/23
Investigation on the structural origin of n-type conductivity in InN films
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 13, 页码: art. no. 135403
Wang, H
;
Jiang, DS
;
Wang, LL
;
Sun, X
;
Liu, WB
;
Zhao, DG
;
Zhu, JJ
;
Liu, ZS
;
Wang, YT
;
Zhang, SM
;
Yang, H
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浏览/下载:53/1
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提交时间:2010/03/08
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAN FILMS
DISLOCATION SCATTERING
LAYER THICKNESS
INDIUM NITRIDE
BAND-GAP
VACANCIES
Characterization of bulk ZnO single crystal grown by a CVT method - art. no. 68410F
会议论文
conference on solid state lighting and solar energy technologies, beijing, peoples r china, nov 12-14, 2007
Wei, XC
;
Zhao, YW
;
Dong, ZY
;
Li, JM
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/03/09
zinc oxide
X-ray diffraction
defects
single crystal
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