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科研机构
半导体研究所 [10]
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期刊论文 [9]
会议论文 [1]
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2011 [1]
2008 [1]
2007 [3]
2005 [1]
2002 [1]
2001 [1]
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学科主题
光电子学 [10]
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学科主题:光电子学
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The contributions of composition and strain to the phonon shift in Ge1-xSnx alloys
期刊论文
solid state communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 8, 页码: 647-650
Su SJ
;
Wang W
;
Cheng BW
;
Hu WX
;
Zhang GZ
;
Xue CL
;
Zuo YH
;
Wang QM
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浏览/下载:64/3
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提交时间:2011/07/05
Semiconductors
Raman scattering
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
RAMAN FREQUENCIES
SEMICONDUCTORS
GE(001)2X1
SILICON
SCATTERING
GROWTH
Hydrogen sensors based on Pt-AlGN/AIN/GaN Schottky diode - art. no. 68291R
会议论文
conference on advanced materials and devices for sensing and imaging iii, beijing, peoples r china, nov 12-14, 2007
Wang, XH
;
Wan, XL
;
Xiao, HL
;
Feng, C
;
Way, BZ
;
Yang, CB
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Hu, GX
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2010/03/09
hydrogen sensor
AlGaN/GaN heterostructure
Schottky diode
Stress reduction in GaN films on (111) silicon-on-insulator substrate grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
materials letters, 2007, 卷号: 61, 期号: 22, 页码: 4416-4419
Sun JY (Sun Jiayin)
;
Chen J (Chen Jing)
;
Wang X (Wang Xi)
;
Wang JF (Wang Jianfeng)
;
Liu W (Liu Wei)
;
Zhu JJ (Zhu Jianjun)
;
Yang H (Yang Hui)
收藏
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/03/29
chemical vapor deposition
Effects of rapid thermal annealing on the emission properties of highly uniform self-assembled InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 mu m
期刊论文
applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 11, 页码: art.no.111912
Yang T (Yang, Tao)
;
Tatebayashi J (Tatebayashi, Jun)
;
Aoki K (Aoki, Kanna)
;
Nishioka M (Nishioka, Masao)
;
Arakawa Y (Arakawa, Yasuhiko)
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浏览/下载:57/0
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提交时间:2010/03/29
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
Temperature dependence of absorption edge in MOCVD grown GaN
期刊论文
journal of materials science-materials in electronics, 2007, 卷号: 18, 期号: 12, 页码: 1229-1233
Majid A (Majid Abdul)
;
Ali A (Ali Akbar)
;
Zhu JJ (Zhu Jianjun)
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2010/03/29
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
A 10-GHz bandwidth electroabsorption modulated laser by ultra-low-pressure selective area growth
期刊论文
chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 2016-2019
Zhao, Q
;
Pan, JQ
;
Zhou, F
;
Wang, BJ
;
Wang, LF
;
Wang, W
收藏
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浏览/下载:34/14
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提交时间:2010/03/17
MOVPE
The mechanism of blueshift in excitation-intensity-dependent photo luminescence spectrum of nitride multiple quantum wells
期刊论文
journal of luminescence, 2002, 卷号: 99, 期号: 1, 页码: 35-38
作者:
Han PD
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2010/08/12
photoluminescence
excitation transfer mechanism
GAN
InGaN
MOCVD
INGAN SINGLE
EMISSION
POLARIZATION
Photoluminescence properties of self-organized InGaAs/GaAs quantum dot structures
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 2001, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 20-24
Niu ZC
;
Wang XD
;
Miao ZH
;
Feng SL
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浏览/下载:108/4
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提交时间:2010/08/12
InAs/GaAs self-organized quantum dots photoluminescence
molecular beam epitaxy
InGaAs capping layer
1.35 MU-M
OPTICAL-PROPERTIES
EMISSION
LAYER
Study of self-assembled InAs quantum dots grown on low temperature GaAs epi-layer
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 2000, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 177-180
Wang XD
;
Wang H
;
Wang HL
;
Niu ZC
;
Feng SL
收藏
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2010/08/12
InAs quantum dots
low temperature GaAs
As precipitates
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
DEPENDENCE
Photoluminescence properties of nitrogen-doped ZnSe epilayers
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 1999, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 13-18
Zhu ZM
;
Liu NZ
;
Li GH
;
Han HX
;
Wang ZP
;
Wang SZ
;
He L
;
Ji RB
;
Wu Y
收藏
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2010/08/12
ZnSe : N
photoluminescence
hound exciton
P-TYPE ZNSE
TEMPERATURE-DEPENDENCE
LASER-DIODES
LUMINESCENCE
ACCEPTORS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
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