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科研机构
半导体研究所 [5]
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期刊论文 [4]
会议论文 [1]
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2011 [1]
2010 [1]
2006 [1]
2005 [1]
1998 [1]
学科主题
光电子学 [5]
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学科主题:光电子学
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Graded index profiles and loss-induced single-mode characteristics in vertical-cavity surface-emitting lasers with petal-shape holey structure
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 2, 页码: article no.24204
作者:
Jiang B
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浏览/下载:65/7
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提交时间:2011/07/06
vertical-cavity surface-emitting lasers
single mode
low divergence angle
graded index profile
OPTICAL INTERCONNECTS
QUANTUM-DOT
WAVE-GUIDE
VCSELS
POWER
FIELD
OPERATION
OXIDATION
DESIGN
FIBERS
Single-mode holey vertical-cavity surface-emitting laser with ultra-narrow beam divergence
期刊论文
laser physics letters, 2010, 卷号: 7, 期号: 3, 页码: 213-217
作者:
Jiang B
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浏览/下载:271/50
  |  
提交时间:2010/04/22
divergence angle
graded index profile
low index step
single mode
vertical-cavity surface-emitting laser
WAVE-GUIDE
POWER
VCSELS
INDEX
DEPTH
Effects of grain size on the mosaic tilt and twist in InN films grown on GaN by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 9, 页码: art.no.092114
Wang H (Wang H.)
;
Huang Y (Huang Y.)
;
Sun Q (Sun Q.)
;
Chen J (Chen J.)
;
Wang LL (Wang L. L.)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Zhang SM (Zhang S. M.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Wang YT (Wang Y. T.)
;
Yang H (Yang H.)
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浏览/下载:42/0
  |  
提交时间:2010/04/11
X-RAY-DIFFRACTION
ELECTRON-TRANSPORT
EPITAXIAL GAN
BAND-GAP
DISLOCATIONS
SAPPHIRE
ALN
Metal-free growth of Si/SiO2 nanowires by annealing SiOx (x < 2) films deposited by PECVD
会议论文
symposium on group-4 semiconductor nanostructures held at the 2004 mrs fall meeting, boston, ma, nov 29-dec 02, 2004
Wang, XX
;
Zhang, JG
;
Wang, QM
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浏览/下载:202/48
  |  
提交时间:2010/03/29
SILICON NANOWIRES
New method for the growth of highly uniform quantum dots
期刊论文
microelectronic engineering, 1998, 卷号: 43-44, 期号: 0, 页码: 79-83
Pan D
;
Zeng YP
;
Kong MY
收藏
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/08/12
self-formed quantum dot
Stranski-Krastanow growth mode
superlattice
INGAAS
GAAS
DISLOCATIONS
MULTILAYERS
DEFECTS
STRAIN
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
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