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半导体研究所 [19]
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光电子学 [19]
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学科主题:光电子学
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Theoretical study of the effect of different n-doping elements on band structure and optical gain of GeSn alloys
期刊论文
Phys. Chem. Chem. Phys., 2017, 卷号: 19, 页码: 27031--27037
作者:
Wenqi Huang
;
Hong Yang
;
Buwen Cheng
;
Chunlai Xue
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2018/07/02
Influences of polarization effect and p-region doping concentration on the photocurrent response of solar-blind p-i-n avalanche photodiodes
期刊论文
chinese physics b, 2014, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 028503
Li, XJ
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Liu, ZS
;
Chen, P
;
Wu, LL
;
Li, L
;
Le, LC
;
Yang, J
;
He, XG
;
Wang, H
;
Zhu, JJ
;
Zhang, SM
;
Zhang, BS
;
Yang, H
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2015/03/20
Effect of doping on the photoluminescence of multilayer Ge quantum dots deposited on Si(001) substrate
期刊论文
acta physica sinica, 2013, 卷号: 62, 期号: 7, 页码: 076108
Liu Zhi
;
Li Ya-Ming
;
Xue Chun-Lai
;
Cheng Bu-Wen
;
Wang Qi-Ming
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2013/10/10
Effect of doping on the photoluminescence of multilayer Ge quantum dots deposited on Si(001) substrate
期刊论文
acta physica sinica, 2013, 卷号: 62, 期号: 7, 页码: 076108
Liu Zhi, Li Ya-Ming, Xue Chun-Lai, Cheng Bu-Wen, Wang Qi-Ming
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2014/04/30
Effect of light Si-doping on the near-band-edge emissions in high quality GaN
期刊论文
journal of applied physics, 2012, 卷号: 112, 期号: 5, 页码: 053104
Le LC (Le, L. C.)
;
Zhao DG (Zhao, D. G.)
;
Jiang DS (Jiang, D. S.)
;
Wu LL (Wu, L. L.)
;
Li L (Li, L.)
;
Chen P (Chen, P.)
;
Liu ZS (Liu, Z. S.)
;
Zhu JJ (Zhu, J. J.)
;
Wang H (Wang, H.)
;
Zhang SM (Zhang, S. M.)
;
Yang H (Yang, H.)
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2013/04/02
Effect of compensation doping on the electrical and optical properties of mid-infrared type-II InAs/GaSb superlattice photodetectors
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: art. no. 067302
Wang YB
;
Xu Y
;
Zhang Y
;
Yu X
;
Song GF
;
Chen LH
收藏
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浏览/下载:49/4
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提交时间:2011/07/07
InAs/GaSb superlattices
p-doping concentration
electrical and optical properties
Characteristic study of maximum modal gain of p-doped 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dot lasers
期刊论文
acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 3, 页码: 1896-1900
作者:
Ma WQ
;
Yang T
;
Cao YL
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浏览/下载:241/62
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提交时间:2010/03/08
maximum modal gain
p-doped
InAs/GaAs quantum dot laser
A comparison of silicon oxide and nitride as host matrices on the photoluminescence from Er3+ ions
期刊论文
chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 7, 页码: 3044-3048
Ding WC
;
Liu Y
;
Zhang Y
;
Guo JC
;
Zuo YH
;
Cheng BW
;
Yu JZ
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:117/2
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提交时间:2010/03/08
Er doping
silicon nitride
photoluminescence
Third-order optical nonlinearities of lead-free (Na1-xKx)(0.5)Bi0.5TiO3 thin films
期刊论文
optics communications, 2008, 卷号: 281, 期号: 3, 页码: 439-443
Zhang, T
;
Zhang, WF
;
Chen, YH
;
Yin, J
收藏
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浏览/下载:114/20
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提交时间:2010/03/08
ferroelectric thin films
(Na1-xKx)(0.5)Bi0.5TiO3
Z-scan technique
nonlinear optical properties
Does an enhanced yellow luminescence imply a reduction of electron mobility in n-type GaN?
期刊论文
journal of applied physics, 2007, 卷号: 102, 期号: 11, 页码: art. no. 113521
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhu, JJ
;
Liu, ZS
;
Zhang, SM
;
Liang, JW
;
Yang, H
收藏
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浏览/下载:51/5
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提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
X-RAY-DIFFRACTION
MG-DOPED GAN
UNDOPED GAN
PHOTOLUMINESCENCE BANDS
THREADING DISLOCATIONS
POSITRON-ANNIHILATION
GROWTH STOICHIOMETRY
GALLIUM NITRIDE
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