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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A base-emitter self-aligned multi-finger Si1-xGex/Si power heterojunction bipolar transistor 期刊论文 chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 7, 页码: 2125-2127 Xue CL (Xue Chun-Lai); Yao F (Yao Fei); Shi WH (Shi Wen-Hua); Cheng BW (Cheng Bu-Wen); Wang HJ (Wang Hong-Jie); Yu JZ (Yu Jin-Zhong); Wang QM (Wang Qi-Ming) 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/03/29 MOBILE COMMUNICATION   A Multi-Finger Si_(1-x)Ge_x/Si Heterojunction Bipolar Transistor for Wireless Power Amplifier Applications 期刊论文 半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 496-499 作者:  Cheng Buwen;  Xue Chunlai 收藏  |  浏览/下载：159/55  |  提交时间：2010/11/23 Persistent Photoconductivity in n-type GaN 期刊论文 semiconductor photonics and technology, 2006, 卷号: 12, 期号: 2, 页码: 77-80 作者:  Zhao Degang 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23 Design and Fabrication of Power Si1-xGex/Si Heterojunction Bipolar Transistor for Wireless Power Amplifier Applications 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 9-13 作者:  Xue Chunlai;  Cheng Buwen 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/23 Photoluminescence properties of nitrogen-doped ZnSe epilayers 期刊论文 journal of infrared and millimeter waves, 1999, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 13-18 Zhu ZM; Liu NZ; Li GH; Han HX; Wang ZP; Wang SZ; He L; Ji RB; Wu Y 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 ZnSe : N  photoluminescence  hound exciton  P-TYPE ZNSE  TEMPERATURE-DEPENDENCE  LASER-DIODES  LUMINESCENCE  ACCEPTORS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY